[發明專利]一種新型薄片吸取裝置在審
| 申請號： | 201810433943.1 | 申請日： | 2018-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN108389829A | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發明（設計）人： | 周斌;曾子華 | 申請（專利權）人： | 昆山市么禾自動化科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 載板 吸取裝置 吸氣管 吸附 吹氣管 吹氣口 吸附面 吹氣 太陽能硅片 吸氣 吸氣口 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型薄片吸取裝置，其特征在于：包括載板、設置于所述載板內的吹氣管和吸氣管、設置于所述載板一側與所述吹氣管相連的吹氣口以及設置于所述載板一側與所述吸氣管相連的吸氣口；所述載板的一面為吸附面，所述載板的另一面為吹氣面。
2.如權利要求1所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述載板包括依次設置的多片，相鄰所述載板之間設置有間隙。
3.如權利要求1所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述吹氣面設置有與所述吹氣管相連的吹氣孔，所述吸附面設置有與所述吸氣管相連的吸氣孔。
4.如權利要求3所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述吹氣孔包括一個或多個。
5.如權利要求3所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述吸氣孔包括一個或多個。
6.如權利要求3所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述吸氣孔呈長條狀。
7.如權利要求1所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述載板的一側設置有安裝孔，所述載板的另一側設置有插入部。
8.如權利要求7所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述插入端呈梯形，所述插入部遠離所述載板的一端朝向靠近所述載板的一端厚度及寬度逐漸增大。
9.如權利要求7所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述吹氣口和吸氣口分別位于靠近所述安裝孔的一側。
10.如權利要求7所述的新型薄片吸取裝置，其特征在于：所述載板為陶瓷材料制成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
