[發明專利]TFT基板的制作方法

在審

• 申請號: 201810433816.1
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108682654A
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 劉司洋
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;程曉

1.一種TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上沉積并圖案化形成第一金屬線(11)，在所述第一金屬線(11)與襯底基板(10)上沉積形成間隔層(15)；

步驟S2、在所述間隔層(15)上沉積第二金屬層(20)，在所述第二金屬層(20)上涂覆光阻層(80)，提供第二光罩(90)，所述第二光罩(90)具有第二金屬線圖案(95)，所述第二金屬線圖案(95)兩側外緣處設有狹縫(96)，利用所述第二光罩(90)對所述光阻層(80)進行曝光、顯影，得到對應位于所述第一金屬線(11)上方的光阻圖案層(85)，所述光阻圖案層(85)的兩側對應所述狹縫(96)形成凹槽(86)，且光阻圖案層(85)兩側的厚度相對于中部的厚度減小；

步驟S3、以所述光阻圖案層(85)為遮蔽層，對所述第二金屬層(20)進行進行第一次濕法蝕刻；

步驟S4、對所述光阻圖案層(85)進行干法蝕刻，減薄所述光阻圖案層(85)；

步驟S5、以減薄后的光阻圖案層(85)為遮蔽層，對所述第二金屬層(20)進行進行第二次濕法蝕刻，去除光阻圖案層(85)，得到對應位于所述第一金屬線(11)上方的第二金屬線(21)。

2.如權利要求1所述TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二金屬線圖案(95)每側外緣處設有兩條平行間隔的狹縫(96)，所述第二金屬線圖案(95)包括遮光主線(951)以及在所述遮光主線(951)兩側由內向外依次設置的且與所述遮光主線(951)相平行的內遮光副線(952)和外遮光副線(953)；

所述狹縫(96)包括第一透光狹縫(961)和第二透光狹縫(962)，所述內遮光副線(952)與遮光主線(951)之間構成所述第一透光狹縫(961)，所述內遮光副線(952)與外遮光副線(953)之間構成所述第二透光狹縫(962)。

3.如權利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一透光狹縫(961)、內遮光副線(952)、第二透光狹縫(962)及外遮光副線(953)的寬度分別為a、b、c、d，其中，0.5μm≤a≤1.5μm，0.5μm≤b≤1.5μm，0.5μm≤c≤1.5μm，0.5μm≤d≤1.5μm。

4.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第二金屬線圖案(95)的寬度為L2，L2≤7μm。

5.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S1還包括提供第一光罩(40)，所述第一金屬線(11)通過所述第一光罩(40)制作形成，所述第一光罩(40)具有用于對應形成第一金屬線(11)的第一金屬線圖案(41)。

6.如權利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬線圖案(41)的寬度為L1，L1≤9μm。

7.如權利要求5所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬線圖案(41)的寬度為L1，所述第二金屬線圖案(95)的寬度為L2，L1-L2≤2μm。

8.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中所提供的第二光罩(90)，其上的狹縫(96)通過在第二光罩(90)上挖空相應部分而形成。

9.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬線(11)和第二金屬線(21)的材料均為鉬、鋁、銅、鈦中的一種或多種的合金。

10.如權利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述間隔層(15)為氧化硅層、氮化硅層或兩者的組合。