[發明專利]一種微感型IGBT并聯均流結構

有效

• 申請號: 201810433573.1
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108615724B
• 公開（公告）日: 2020-05-22
• 發明（設計）人: 翟小社;姚曉飛;王建華;宋政湘
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 徐文權

1.一種微感型IGBT并聯均流結構，其特征在于，包括載流板(4)及若干IGBT芯片，其中，載流板(4)為上下兩面的雙層PCB結構，其中，各IGBT芯片呈周向等間距分布，其中，各IGBT芯片的集電極C引線位于載流板(4)的上表面上，各IGBT芯片的發射極E引線位于載流板(4)的下表面上，且同一IGBT芯片中發射極E引線與集電極C引線的垂直投影相互重疊；

還包括若干均流電感，其中，均流電感的數目與IGBT芯片的數目相同，各均流電感呈周向等間距分布，各均流電感位于各IGBT芯片的內側，且在周向方向上，各均流電感與各IGBT芯片依次交錯分布；

載流板(4)的中心位置處設置有中心焊盤(1)，各均流電感均包括環形磁芯(2)以及繞制于環形磁芯(2)上兩個等砸繞組(3)，其中，各均流電感位于載流板(4)的上表面上，其中，各環形磁芯(2)上第一個等砸繞組(3)的一端與一個相鄰環形磁芯(2)上的等砸繞組(3)相連接，各環形磁芯(2)上第一個等砸繞組(3)的另一端與相鄰IGBT芯片的集電極C引線相焊接，各環形磁芯(2)上第二個等砸繞組(3)的一端與另一個相鄰環形磁芯(2)上的等砸繞組(3)相連接，各環形磁芯(2)上第二個等砸繞組(3)的另一端與中心焊盤(1)相焊接；

同一環形磁芯(2)中兩個等砸繞組(3)的勵磁方向相反，當兩個等砸繞組(3)的勵磁電流相等時，其磁通相互抵消。

2.根據權利要求1所述的微感型IGBT并聯均流結構，其特征在于，各IGBT芯片與中心焊盤(1)之間的間距相同。

3.根據權利要求1所述的微感型IGBT并聯均流結構，其特征在于，各均流電感與中心焊盤(1)之間的間距相同。