[發(fā)明專利]可降低導(dǎo)通電阻提高運(yùn)行可靠性的GaN HEMT器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810433273.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108493233A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 任永碩;王榮華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 大連芯冠科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/06 | 分類號(hào)： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 大連非凡專利事務(wù)所 21220 | 代理人： | 閃紅霞 |
| 地址： | 116023 遼寧省大連市沙河口區(qū)高新*** | 國(guó)省代碼： | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 介質(zhì)鈍化層 漏電極 源電極 柵電極 運(yùn)行可靠性 導(dǎo)通電阻 溝道層 勢(shì)壘層 通孔 穿過(guò) 勢(shì)壘層表面 矩陣排列 擴(kuò)展電極 上表面 覆蓋 | ||
1.一種可降低導(dǎo)通電阻提高運(yùn)行可靠性的GaN HEMT器件，由下至上依次為襯底（1）、緩沖層（2）、溝道層（3），在溝道層（3）上有InxAlyGa1-x-yN勢(shì)壘層（4）、源電極（5）、漏電極（6）以及柵電極（7），其特征在于：所述InxAlyGa1-x-yN勢(shì)壘層（4）由矩陣排列的多個(gè)環(huán)組成，環(huán)的外側(cè)是覆蓋于溝道層（3）上的源電極（5），環(huán)的內(nèi)側(cè)是覆蓋于溝道層（3）上的漏電極（6），在InxAlyGa1-x-yN勢(shì)壘層（4）、源電極（5）及漏電極（6）上有第一介質(zhì)鈍化層（21），所述柵電極（7）是位于第一介質(zhì)鈍化層（21）上且置于源電極（5）及漏電極（6）之間的環(huán)形，柵電極（7）的下部穿過(guò)第一介質(zhì)鈍化層（21）至InxAlyGa1-x-yN勢(shì)壘層（4）表面，在所述第一介質(zhì)鈍化層（21）及柵電極（7）的上表面覆有第二介質(zhì)鈍化層（22），在所述漏電極（6）上有穿過(guò)第一介質(zhì)鈍化層（21）及第二介質(zhì)鈍化層（22）的通孔，在通孔內(nèi)及第二介質(zhì)鈍化層（22）上有擴(kuò)展電極（23）。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于大連芯冠科技有限公司，未經(jīng)大連芯冠科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810433273.3/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種空間劑量調(diào)制JTE與場(chǎng)線環(huán)構(gòu)成的混合節(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)及其制備方法
- 下一篇：一種鰭式溝道的氧化鎵基垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
