[發明專利]一種基于半導體激光器和可飽和吸收體的有源外腔結構有效
| 申請號： | 201810432973.0 | 申請日： | 2018-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN108429124B | 公開（公告）日： | 2019-08-16 |
| 發明（設計）人： | 張偉利;胡波;馬瑞;饒云江 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01S3/11 | 分類號： | H01S3/11;H01S3/094 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230 | 代理人： | 徐金瓊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體激光器 可飽和吸收體 外腔結構 光纖激光器 調控 激光器領域 入射光信號 隨機激光器 動態調控 復雜條件 脈沖輸出 諧振腔型 準直透鏡 反饋 諧振腔 校準 光釬 時域 鎖模 吸收 優化 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于半導體激光器和可飽和吸收體的有源外腔結構,其特征在于：包括從左到右依次設置的用于對入射光信號進行時域調控的半導體激光器(2)，用于對半導體激光器(2)反饋光進行校準的準直透鏡(3)，用于對反饋光進行吸收調控的可飽和吸收體(4)以及與待調控光纖激光器連接的光引線(6)；
所述可飽和吸收體(4)為一個曲率可調的MEMS膜片，所述MEMS膜片靠近準直透鏡(3)端表面設置有二維材料。
2.根據權利要求1所述一種基于半導體激光器和可飽和吸收體的有源外腔結構,其特征在于：所述半導體激光器(2)左端設置有用于連接外部電源的電引線(1)。
3.根據權利要求1所述一種基于半導體激光器和可飽和吸收體的有源外腔結構,其特征在于：還包括用于MEMS膜片曲率調節的曲度調節裝置(5)，所述曲度調節裝置(5)與可飽和吸收體(4)電性連接。
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