[發明專利]一種雙折射晶體快拍穆勒矩陣成像測偏眼底系統

有效

• 申請號: 201810432671.3
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN110448265B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 張晶;曹奇志;胡寶清;鄧婷;李建映;樊東鑫;徐艷華;王華華
• 申請（專利權）人: 廣西師范學院
• 主分類號: A61B3/12
• 分類號: A61B3/12;A61B3/14
• 代理公司: 重慶為信知識產權代理事務所(普通合伙) 50216
• 代理人: 藍文苑

1.一種雙折射晶體快拍穆勒矩陣成像測偏眼底系統，其特征在于：包括光源(1)和向左側傾斜45°的含洞反射鏡(22)，所述光源(1)位于所述含洞反射鏡(22)的正下方，所述光源(1)發射光線一側至所述含洞反射鏡(22)之間依次設置有第一準直透鏡(2)、圓形遮擋物(20)、第一偏振調制模塊(3)、第一成像鏡(4)，所述光源(1)中心點、第一準直透鏡(2)中心點、圓形遮擋物(20)的圓心、第一偏振調制模塊(3)中心點、第一成像鏡(4)中心點、含洞反射鏡(22)圓心位于同一直線上，所述第一準直透鏡(2)與所述光源(1)的距離為第一準直透鏡(2)的焦距f，所述圓形遮擋物(20)的成像遮住所述含洞反射鏡(22)的圓洞；

所述含洞反射鏡(22)的左側設置有物鏡(21)，所述含洞反射鏡(22)的右側依次設置有第二準直透鏡(5)、第二偏振調制模塊(6)、第二成像鏡(7)、圖像獲取裝置(8)，所述圖像獲取裝置(8)與所述第二成像鏡(7)的距離為第二成像鏡(7)的焦距f，所述物鏡(21)中心點、含洞反射鏡(22)圓心、第二準直透鏡(5)中心點、第二偏振調制模塊(6)中心點、第二成像鏡(7)中心點、圖像獲取裝置(8)中心點位于同一水平線上；

所述第一偏振調制模塊(3)包括兩塊相同且重疊設置的改進型薩瓦偏光鏡Ⅰ，分別為第一改進型薩瓦偏光鏡Ⅰ(11a)和第二改進型薩瓦偏光鏡Ⅰ(11b)，所述第一改進型薩瓦偏光鏡Ⅰ(11a)的出光面和第二改進型薩瓦偏光鏡Ⅰ(11b)的進光面之間設置有第一半波片(12)，所述第一改進型薩瓦偏光鏡Ⅰ(11a)的進光面還設置有起偏器(10)；

所述第二偏振調制模塊(6)包括兩塊相同且重疊設置的改進型薩瓦偏光鏡Ⅱ，分別為第一改進型薩瓦偏光鏡Ⅱ(14a)和第二改進型薩瓦偏光鏡Ⅱ(14b)，所述第一改進型薩瓦偏光鏡Ⅱ(14a)的出光面和第二改進型薩瓦偏光鏡Ⅱ(14b)的進光面之間設置有第一半坡片(12)，所述第二改進型薩瓦偏光鏡Ⅱ(14b)的出光面還設置有檢偏器(15)；

所述改進型薩瓦偏光鏡Ⅰ包括重疊布置的第一薩瓦板(16)和第二薩瓦板(17)，所述第一薩瓦板(16)和第二薩瓦板(17)之間設置有第二半波片(13)，所述第一薩瓦板(16)和第二薩瓦板(17)厚度相等，所述第一薩瓦板(16)光軸和第二薩瓦板(17)光軸位于同一平面內，以第二半波片(13)為對稱軸，呈對軸分布且兩者夾角為90°；

所述改進型薩瓦偏光鏡Ⅱ包括重疊布置的第三薩瓦板(18)和第四薩瓦板(19)，所述第三薩瓦板(18)和第四薩瓦板(19)之間設置有第三半波片(23)，所述第三薩瓦板(18)和第四薩瓦板(19)厚度相等且為第一薩瓦板(16)厚度的2倍，所述第三薩瓦板(18)光軸和第四薩瓦板(19)光軸位于同一平面內，以第三半波片(23)為對稱軸，呈對軸分布且兩者夾角為90°。

2.根據權利要求1所述的一種雙折射晶體快拍穆勒矩陣成像測偏眼底系統，其特征在于：所述第一半坡片(12)的偏振方向角為22.5°。

3.根據權利要求1所述的一種雙折射晶體快拍穆勒矩陣成像測偏眼底系統，其特征在于：所述第二半波片(13)的偏振方向角均為45°。

4.根據權利要求1所述的一種雙折射晶體快拍穆勒矩陣成像測偏眼底系統，其特征在于：所述第三半波片(23)的偏振方向角均為45°。

5.根據權利要求1所述的一種雙折射晶體快拍穆勒矩陣成像測偏眼底系統，其特征在于：所述起偏器(10)和檢偏器(15)的透振方向角為45°。

6.根據權利要求1所述的一種雙折射晶體快拍穆勒矩陣成像測偏眼底系統，其特征在于：所述第一準直透鏡(2)、第一成像鏡(4)、第二準直透鏡(5)、第二成像鏡(7)、物鏡(21)均為焦距相同的凸透鏡。