[發明專利]一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列

有效

• 申請號: 201810432391.2
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108871592B
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: 黎威志;高若堯;張天;杜曉松;太惠玲;于賀
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G01J5/12
• 分類號: G01J5/12
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 徐金瓊

1.一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：包括位于上層用于探測成像的上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)和位于下層用于補償的下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)，以及位于底層的底層支撐層(9)，所述上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)和下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)之間連接設置有高度大于等于50μm，小于等于100μm的絕熱隔離柱(4)；

所述上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)上表面設置有像素電極陣列(1)，下表面設置有與設置在上表面的像素電極陣列(1)完全相同的像素電極陣列(3)；

所述下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)上表面設置有與設置在上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)上表面的像素電極陣列(1)完全相同的像素電極陣列(5)，下表面設置有與設置在上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)上表面的像素電極陣列(1)完全相同的像素電極陣列(7)。

2.根據權利要求1所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：所述設置在上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)下表面的像素電極陣列(3)還可以設置為呈平面狀的平面電極(31)；所述設置在下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)上表面的像素電極陣列(5)還可以設置為呈平面狀的平面電極(51)。

3.根據權利要求2所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：所述設置在上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)下表面的平面電極(31)和設置在下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)上表面的平面電極(51)之間連接設置有高度大于等于50μm，小于等于100μm的絕熱隔離柱(4)。

4.根據權利要求1所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：所述下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)和底層支撐層(9)之間連接設置有支撐柱(8)。

5.根據權利要求1所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：所述上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)和下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)的極化方向相反。

6.根據權利要求3或4所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：所述絕熱隔離柱(4)、支撐柱(8)和底層支撐層(9)均采用硅或二氧化硅。

7.根據權利要求6所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：所述絕熱隔離柱(4)和支撐柱(8)的尺寸一致，數量相同，且陳列方式一致。

8.根據權利要求1所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：

所述設置在上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)上表面的像素電極陣列(1)中的一個電極和上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)，以及設置在上層柔性熱釋電聚合物薄膜(2)下表面的像素電極陣列(3)中的一個電極構成一個敏感單元；

所述設置在下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)上表面的像素電極陣列(5)中的一個電極和下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)，以及設置在下層柔性熱釋電聚合物薄膜(6)下表面的像素電極陣列(7)中的一個電極構成一個補償單元；

一個敏感單元和一個補償單元構成一個補償后的像素單元。

9.根據權利要求8所述的一種低壓電及溫度干擾的柔性熱釋電紅外熱像儀像素陣列，其特征在于：每個像素單元對應一路差分放大電路，每個敏感單元的上電極和每個補償單元的下電極分別接入該差分電路的兩個輸入端，每個敏感單元的下電極和每個補償單元的上電極均接地。