[發(fā)明專利]一種內(nèi)嵌反射鏡的二維材料光電探測(cè)器及其制備方法和應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810432151.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-05-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108847427A | 公開（公告）日： | 2018-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊億斌;李京波;招瑜;肖也;羅東向;牟中飛;鄭照強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0232 | 分類號(hào)： | H01L31/0232;H01L31/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣東廣信君達(dá)律師事務(wù)所 44329 | 代理人： | 楊曉松 |
| 地址： | 510062 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二維材料 光電探測(cè)器 內(nèi)嵌 金屬反射鏡 反射鏡 介質(zhì)層 襯底 制備 光電子技術(shù)領(lǐng)域 制備方法和應(yīng)用 鍍介質(zhì)層 工藝步驟 探測(cè)性能 源漏電極 反射率 漏電極 鍍?cè)?/a> 金屬 生長(zhǎng) | ||
1.一種內(nèi)嵌反射鏡的二維材料光電探測(cè)器，其特征在于，所述二維材料光電探測(cè)器自下而上依次包括襯底、金屬反射鏡、介質(zhì)層、二維材料和源漏電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述內(nèi)嵌反射鏡的二維材料光電探測(cè)器，其特征在于，所述襯底為硅或鍺，所述金屬反射鏡為銀或鋁，所述介質(zhì)層為二氧化鋯或二氧化鉿，所述二維材料為黑磷、藍(lán)磷或硫化銦，所述源漏電極為銅、鈦或金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)嵌反射鏡的二維材料光電探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括如下具體步驟：
S1.先在襯底上鍍一層高反射率的金屬，形成金屬反射鏡；
S2.在金屬反射鏡上鍍介質(zhì)層；
S3.采用化學(xué)氣相沉積方法或微機(jī)械剝離法，將二維材料轉(zhuǎn)移到介質(zhì)層上面；
S4.在二維材料上鍍?cè)绰╇姌O，即形成內(nèi)嵌反射鏡的二維材料光電探測(cè)器。
4.權(quán)利要求1或2所述的內(nèi)嵌反射鏡的二維材料光電探測(cè)器在微納光電子技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
