[發明專利]在模制期間具有背面保護層以防止模具溢料失效的封裝件有效
| 申請號: | 201810431956.5 | 申請日: | 2018-05-08 |
| 公開(公告)號: | CN108878300B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | A·卡達格;I·H·阿雷拉諾;E·M·卡達格 | 申請(專利權)人: | 意法半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;崔卿虎 |
| 地址: | 菲律賓*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 期間 具有 背面 保護層 防止 模具 失效 封裝 | ||
1.一種半導體封裝件,包括:
引線框架,具有管芯焊盤和多個引線,所述管芯焊盤具有第一面和第二面,所述多個引線中的每個引線具有第一面和第二面;
管芯,耦合到所述管芯焊盤的第二面;
多個導線,每個導線具有耦合到所述多個引線中的每個引線的相應第二面的第一端和耦合到所述管芯的第二端;
模制化合物,包封所述管芯、所述多個導線、所述管芯焊盤以及所述多個引線中的每個引線;
模制化合物的延伸部分,與所述模制化合物成一體,所述延伸部分延伸超出所述多個引線的第一面和所述管芯焊盤的第一面的長度;
多個第一凹部,在所述模制化合物中將所述多個引線中的每個引線的第一面暴露于外部環境,每個第一凹部具有與所述延伸部分的長度相等的第一深度;以及
第二凹部,將所述管芯焊盤的第一面暴露于所述外部環境,所述第二凹部具有與所述延伸部分的長度相等的第二深度;
其中所述模制化合物延伸超出每個引線的第三面,每個第三面背向所述管芯焊盤,橫向于所述引線的第一面和第二面,并且被所述模制化合物覆蓋。
2.根據權利要求1所述的半導體封裝件,進一步包括將所述管芯耦合到所述管芯焊盤的第二面的粘合材料。
3.根據權利要求2所述的半導體封裝件,其中所述粘合材料是將所述管芯電耦合到所述管芯焊盤的導電材料。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝件,進一步包括多個第一焊料球,每個第一焊料球在相應的第一凹部內耦合到所述多個引線中的每個引線的相應的第一面。
5.根據權利要求4所述的半導體封裝件,進一步包括在所述第二凹部內耦合到所述管芯焊盤的第一面的多個第二焊料球,所述第二焊料球與所述第一焊料球具有相同的尺寸。
6.根據權利要求1所述的半導體封裝件,其中所述多個引線和所述管芯焊盤的第一面和第二面彼此相對。
7.一種形成半導體封裝件的方法,包括:
將保護層耦合到引線框架的第一表面,所述引線框架具有管芯焊盤部分和引線部分,所述管芯焊盤部分和所述引線部分具有第一表面和第二表面,所述管芯焊盤部分的第一表面和所述引線部分的第一表面被所述保護層覆蓋;
將引線框架帶耦合到所述保護層;
將管芯耦合到所述管芯焊盤部分的每個第二表面;
形成多個電連接,每個電連接具有耦合到相應引線部分的第二表面的第一端和耦合到相應管芯的第二端;
形成模制化合物層,所述模制化合物層覆蓋在所述引線框架帶、所述保護層、所述管芯焊盤部分的第二表面、所述引線部分的第二表面、所述管芯和所述電連接上;
移除所述引線框架帶以暴露所述保護層;
去除所述保護層以將所述管芯焊盤部分的第一表面和所述引線部分的第一表面暴露于外部環境,去除所述保護層形成多個第一凹部和多個第二凹部,每個第一凹部將所述引線部分的相應的第一表面暴露于所述外部環境,每個第二凹部將所述管芯焊盤部分的相應的第一表面暴露于所述外部環境;以及
將所述模制化合物層、所述管芯焊盤部分、所述引線部分、所述電連接和所述管芯分割成單獨的半導體封裝件;
其中所述模制化合物層延伸超出每個引線部分的第三表面,每個第三表面背向所述管芯焊盤部分,橫向于所述引線部分的第一表面和第二表面,并且被所述模制化合物層覆蓋。
8.根據權利要求7所述的形成半導體封裝件的方法,其中所述保護層是水溶性材料。
9.根據權利要求8所述的形成半導體封裝件的方法,其中去除所述保護層以將所述管芯焊盤部分的第一表面和所述引線部分的第一表面暴露于所述外部環境包括:將所述保護層暴露于水。
10.根據權利要求9所述的形成半導體封裝件的方法,其中將所述保護層暴露于水包括:水噴射所述保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





