[發明專利]半導體器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圓級球柵陣列模塑激光封裝的方法

有效

• 申請號: 201810430430.5
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN108666214B
• 公開（公告）日: 2022-03-08
• 發明（設計）人: 尹勝煜;J.A.卡帕拉斯;林耀劍;P.C.馬里穆圖
• 申請（專利權）人: 長電集成電路（紹興）有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/538;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳嵐

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

在所述半導體管芯周圍沉積密封劑，其中所述密封劑的表面與所述半導體管芯的有源表面共面；

形成在整個半導體器件的所述密封劑的表面上連續延伸并與所述半導體管芯的有源表面接觸的互連結構；

形成穿過所述密封劑延伸至所述互連結構的開口；

在所述密封劑的開口之上沉積凸塊材料，所述凸塊材料的一部分在所述密封劑的開口的外部；以及

回流所述凸塊材料以使所述凸塊材料流入所述開口并與所述互連結構相接觸以在所述開口內形成凸塊。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括在所述互連結構上形成多個凸塊。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體器件包括小于1毫米的高度。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述密封劑上設置半導體封裝。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述半導體封裝包括存儲器件。

6.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供半導體管芯；

在所述半導體管芯周圍沉積密封劑，其中所述密封劑的表面與所述半導體管芯的有源表面共面；

形成穿過所述密封劑的開口；

在所述密封劑的開口之上沉積凸塊材料，所述凸塊材料的一部分在所述密封劑的開口的外部；以及

回流所述凸塊材料以使所述凸塊材料流入所述開口并形成在所述密封劑的開口內凹進的凸塊以用于外部電互連。

7.根據權利要求6所述的方法，進一步包括形成在整個半導體器件的所述密封劑的表面上連續延伸并與所述半導體管芯的有源表面接觸的互連結構。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述半導體器件包括小于1毫米的高度。

9.根據權利要求6所述的方法，進一步包括在所述半導體管芯和所述密封劑上設置半導體封裝。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述半導體封裝包括存儲器件。

11.一種半導體器件，包括：

半導體管芯，包括形成在所述半導體管芯的表面上的第一導電層；

密封劑，沉積在所述半導體管芯周圍的，其中一開口穿過所述密封劑，其中所述密封劑的表面與所述半導體管芯的有源表面共面；

絕緣層，形成為與所述密封劑和半導體管芯接觸；

第二導電層，形成為與所述密封劑和半導體管芯接觸，所述密封劑表面中的開口延伸至所述第二導電層，其中形成在所述半導體管芯表面上的第一導電層直接接觸所述第二導電層；以及

在所述密封劑的開口內凹進并與所述第二導電層接觸的凸塊以用于外部電互連。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，進一步包括在整個半導體器件的所述密封劑的表面上連續延伸并與所述半導體管芯的有源表面接觸的互連結構。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述半導體器件包括小于1毫米的高度。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，進一步包括在所述半導體器件和所述密封劑上設置的半導體封裝。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，所述半導體封裝包括存儲器件。