[發(fā)明專利]一種提高有機電致發(fā)光器件性能的陰極界面修飾方法

有效

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• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN108695442B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王堅;寸陽珂;宋晨;王娟紅;彭俊彪;曹鏞
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 44245 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳文姬

1.一種提高有機電致發(fā)光器件性能的陰極界面修飾方法，其特征在于，在室溫下，對有機電致發(fā)光器件性能的發(fā)光層進行溶液蒸汽處理；所述蒸汽為含極性基團的溶劑產(chǎn)生的蒸汽；所述溶液蒸汽處理的時間為10min-120min。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高有機電致發(fā)光器件性能的陰極界面修飾方法，其特征在于，所述含極性基團的溶劑為甲醇，乙醇，異丙醇，異丁醇中的任一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高有機電致發(fā)光器件性能的陰極界面修飾方法，其特征在于，所述溶液蒸汽處理的環(huán)境為氧含量少于5ppm，相對濕度低于1ppm的環(huán)境。

4.有機電致發(fā)光器件性能的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在ITO基板表面沉積空穴注入層；

(2)在空穴注入層上沉積發(fā)光層；

(3)對發(fā)光層進行權(quán)利要求1～3任一項所述的提高有機電致發(fā)光器件性能的陰極界面修飾方法；

(4)在蒸汽處理后的發(fā)光層上沉積金屬陰極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件性能的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述的在ITO基板表面沉積空穴注入層，具體為：

用勻膠機在ITO基板表面上旋涂PEDOT：PSS作為空穴注入層，然后于手套箱中150-170℃熱處理10-20min，空穴注入層冷卻后厚度為40-50nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件性能的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述在空穴注入層上沉積發(fā)光層，具體為：

首先在手套箱內(nèi)將PFSO發(fā)光材料配制成PFSO溶液，溶劑為對二甲苯；在空穴注入層上旋涂PFSO溶液，然后于手套箱中100-120℃熱處理15-20min，冷卻后厚度為70-80nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件性能的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述對發(fā)光層進行權(quán)利要求1～3任一項所述的提高有機電致發(fā)光器件性能的陰極界面修飾方法，具體為：

在干凈的培養(yǎng)皿中加入含極性基團的溶劑，以提供溶液蒸汽，把步驟(3)制備得到的發(fā)光層轉(zhuǎn)移到培養(yǎng)皿中進行溶液蒸汽處理。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機電致發(fā)光器件性能的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述的陰極為Ba/Al或LiF/Al金屬陰極，厚度為100-150nm。