[發明專利]一種納米結構磁性測量裝置

在審

• 申請號: 201810429274.0
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN108414452A
• 公開（公告）日: 2018-08-17
• 發明（設計）人: 索奕雙
• 申請（專利權）人: 金華職業技術學院
• 主分類號: G01N21/21
• 分類號: G01N21/21
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明涉及物理測量技術領域，一種納米結構磁性測量裝置，包括激光器、分束器、凸透鏡I、光電探測器、鎖相放大器、棱鏡偏振器、凸透鏡II、保偏光纖I、電光調制器、保偏光纖II、凸透鏡III、波片I、透鏡臺、原子力顯微鏡、探針、樣品、磁鐵、樣品臺、信號發生器、示波器、波片II、凸透鏡IV、平面鏡，樣品、磁鐵及樣品臺依次位于探針正下方，探針為圓臺形狀，探針中的通孔I和通孔II的軸線分別位于探針圓臺軸線的兩側、且均與探針圓臺軸線成45度角，保偏光纖I具有慢軸和快軸，棱鏡偏振器的透射軸與保偏光纖I的慢軸平行，保偏光纖I的慢軸位于電光調制器的橫磁軸和橫電軸之間夾角的角平分線上，電光調制器的橫磁軸與保偏光纖II的慢軸平行。

技術領域

本發明涉及物理測量技術領域，尤其是一種采用光束干涉方法來研究材料表面單個納米結構磁光克爾信號的一種納米結構磁性測量裝置。

背景技術

磁光克爾效應測量裝置是材料表面磁性研究中的一種重要手段，其工作原理是基于由光與磁化介質間相互作用而引起的磁光克爾效應，其不僅能夠進行單原子層厚度材料的磁性檢測，而且可實現非接觸式測量，在磁性超薄膜的磁有序、磁各向異性、層間耦合和磁性超薄膜的相變行為等方面的研究中都有重要應用。磁光克爾效應測量裝置主要是通過檢測一束線偏振光在材料表面反射后的偏振態變化引起的光強變化進行樣品表面的磁化觀測。現有技術缺陷一：傳統的聚焦克爾顯微鏡的空間分辨率由光學衍射極限所決定，其成像的效果極易受到光學元件限制，因此無法得到納米尺度的磁化動態特征。現有技術缺陷二：在某些通過測量兩束光在樣品表面的干涉來得到樣品的磁化信息的方法中，兩束光的光路是分開控制的，而且需要在探測之前重新合并，因此需要較多的光學元件，因此得到的信號的信噪比較低，現有技術缺陷三：現有技術的干涉法測樣品的克爾旋轉的裝置中，只能測量極向克爾效應，所述一種納米結構磁性測量裝置能解決問題。

發明內容

為了解決上述問題，本發明采用同一束光的兩個正交偏振分量干涉的方法來獲得樣品表面的磁化信息，光的兩個正交偏振分量共用一個光路，減少光路中的光學元件，提高了信噪比，本發明裝置通過采用斜入射的光束能夠測量克爾效應的縱向、橫向和極向三個分量；另外，本發明裝置采用具有通孔的原子力顯微鏡探針，能夠得到樣品表面納米尺度結構的磁化動態特征。

本發明所采用的技術方案是：