[發明專利]一種使用耐高溫密封新材料的邏輯器件側墻蝕刻機臺

在審

• 申請號: 201810428721.0
• 申請日: 2018-05-07
• 公開（公告）號: CN108520851A
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 丁愛琴;王嘉寧;肖新冬;楊春虎
• 申請（專利權）人: 丁愛琴;王嘉寧;肖新冬;楊春虎
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C08L9/02;C08L85/02;C08K13/02;C08K3/22;C08K3/36;C08K3/06;C08K5/57
• 代理公司: 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙) 11562
• 代理人: 宋平

本發明具體涉及一種使用耐高溫密封新材料的邏輯器件側墻蝕刻機臺，其主要部件包括：蝕刻腔體，射頻發生裝置，電極與高壓單元，氦氣冷卻系統，溫度控制系統，磁場控制系統，氣體裝置，真空系統，傳送系統，以及電源和控制柜；所述的蝕刻腔體包括上、下腔體，石英環、硅環組成；一種使用耐高溫密封新材料的邏輯器件側墻蝕刻機臺使用方便、操作簡單、蝕刻的器件具有很好的均勻性；使用一種耐高溫密封新材料，能有適應抗離子體的產生的高溫，保持持久，高質量的真空環境。

技術領域

本發明屬于設備技術領域；具體涉及一種使用耐高溫密封新材料的邏輯器件側墻蝕刻機臺。

背景技術

在集成電路的制造領域，有一種說法叫做一代設備造就了一代集成電路工藝，可見設備在集成電路領域的重要地位，蝕刻就是利用化學或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過程。其相關設備制造技術受到了人們的關注。

CN201264965Y公開了一種蝕刻設備，用以蝕刻材料層。蝕刻設備包含多個噴霧裝置以及多個刷洗裝置。多個噴霧裝置及刷洗裝置設置于蝕刻設備中。當材料層在蝕刻設備中輸送時，每一個噴霧裝置用以噴出蝕刻液至材料層的表面上以對該表面進行蝕刻。多個刷洗裝置用以對已噴覆有蝕刻液的該表面進行刷洗的操作，以使蝕刻液均勻地分布于該表面上。披露了一種偏光片的蝕刻設備，適用于蝕刻該偏光片的保護層。

CN1696346A公開一種濕蝕刻設備，其包括一基板承載室、一干傳送區、一干燥室、一漂洗室及一蝕刻區，該基板承載室、干燥室、漂洗室及蝕刻區順序呈直線排列，該濕蝕刻設備還包括一升降室及一干傳送帶，該干傳送帶位于該干燥室、漂洗室及蝕刻區的上方，且與基板承載室及升降室連接。

CN107303628A公開了一種激光蝕刻設備及使用激光蝕刻設備進行激光蝕刻的方法。所述激光蝕刻設備包括腔室、激光端口、激光發射器、顆粒捕捉器和旋轉窗口模塊。腔室被構造為容納基底。激光端口在向下的方向上設置在腔室下面。激光發射器被構造為將激光通過激光端口發射到設置在腔室之內的基底。顆粒捕捉器設置在腔室之內并且包括設置在激光端口上方的主體。開口形成為穿過主體。開口被構造為使激光經由該開口穿過。旋轉窗口模塊包括旋轉窗口和被構造為驅動旋轉窗口的驅動部。旋轉窗口設置在顆粒捕捉器與激光端口之間。

干法蝕刻系統的核心是等離子體，其內的高能電磁場區域能夠將氣體快速解離成高能離子、光子、電子和高化學活性的反應粒子。而等離子體必須在真空條件下才能產生。等離子體的產生的高溫會使密封材料失去密封作用，影響使用效果。

發明內容

為了克服背景技術中存在的不足，本發明提供一種使用耐高溫密封新材料的邏輯器件側墻蝕刻機臺。

本發明所用的技術方案為：

一種使用耐高溫密封新材料的邏輯器件側墻蝕刻機臺，其主要部件包括：蝕刻腔體，射頻發生裝置，電極與高壓單元，氦氣冷卻系統，溫度控制系統，磁場控制系統，氣體裝置，真空系統，傳送系統，以及電源和控制柜；所述的蝕刻腔體包括上、下腔體，石英環、硅環組成，所述的上下反應腔體位于反應腔四周圍，用來保護蝕刻側壁；所述的電極為單電極系統，為金屬材質制成；所述的金屬材質的電極表面鍍有一層氮化鋁半導體材料；所述的磁場控制系統能夠產生旋轉變化的電場；所述的真空裝置由兩級真空系統組成；其特征在于所述的蝕刻腔體采用一種耐高溫密封新材料。

所述的射頻發生裝置工作功率范圍為500-3000W。

所述的真空裝置由干泵和分子泵組成。

所述一種耐高溫密封新材料按照如下方法進行制備：