[發(fā)明專利]顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810426410.0 | 申請日: | 2018-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN108461393B | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張帥;劉政 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/77;H01L27/32;H01L21/82 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板的制備方法,所述顯示基板具有非顯示區(qū),其特征在于,所述顯示基板的制備方法包括:
在基底上形成第一絕緣層,并通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層與所述非顯示區(qū)對應(yīng)的位置形成包括至少一個凹陷部的圖形;
通過構(gòu)圖工藝在非顯示區(qū)形成包括第一信號線的圖形,其中,所述第一信號線至少部分覆蓋所述凹陷部;
形成第二絕緣層,并通過構(gòu)圖工藝在所述第二絕緣層對應(yīng)所述第一信號線的至少部分區(qū)域形成過孔;
通過構(gòu)圖工藝形成包括第二信號線的圖形,所述第二信號線通過所述過孔與所述第一信號線連接;
所述第一絕緣層包括凸出部和凹陷部;
所述第一信號線包括下沉部和上升部,所述下沉部對應(yīng)所述第一絕緣層的凹陷部,所述上升部對應(yīng)所述第一絕緣層的凸出部;
所述第二絕緣層的過孔對應(yīng)所述第一信號線的上升部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,
所述第一絕緣層的材料包括有機絕緣材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述在形成第一絕緣層,并通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層與所述非顯示區(qū)對應(yīng)的位置形成包括至少一個凹陷部的圖形的步驟之前,還包括:
去除所述基底上的、與非顯示區(qū)位置對應(yīng)的層間絕緣層,以形成凹槽區(qū);其中,所形成的第一絕緣層填充所述凹槽區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述在基底上形成第一絕緣層,并通過構(gòu)圖工藝在所述第一絕緣層與非顯示區(qū)對應(yīng)的位置形成包括至少一個凹陷部的圖形的步驟包括:
在基底上形成第一絕緣材料層;
利用不同透光率的掩膜板對所述第一絕緣材料層進行曝光,在所述第一絕緣層與所述非顯示區(qū)對應(yīng)的位置形成包括至少一個凹陷部的圖形,并去除與顯示區(qū)位置對應(yīng)的第一絕緣層材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板的制備方法,其特征在于,所述通過構(gòu)圖工藝在非顯示區(qū)形成包括第一信號線的圖形的步驟包括:
通過低溫沉積工藝形成金屬膜層;
通過刻蝕工藝對所述金屬膜層進行刻蝕,在非顯示區(qū)形成包括第一信號線的圖形。
6.一種顯示基板,其具有非顯示區(qū),其特征在于,所述顯示基板包括:
基底;
位于基底上的第一絕緣層,其與非顯示區(qū)對應(yīng)的位置具有至少一個凹陷部;
位于所述第一絕緣層背離所述基底一側(cè)的第一信號線,所述第一信號線位于非顯示區(qū),且其至少部分覆蓋所述凹陷部;
位于所述第一信號線背離所述基底一側(cè)的第二絕緣層,其對應(yīng)所述第一信號線的至少部分區(qū)域具有過孔;
位于所述第二絕緣層背離所述基底一側(cè)的第二信號線,其通過所述過孔與第一信號線連接;
所述第一絕緣層包括凸出部和凹陷部;
所述第一信號線包括下沉部和上升部,所述下沉部對應(yīng)所述第一絕緣層的凹陷部,所述上升部對應(yīng)所述第一絕緣層的凸出部;
所述第二絕緣層的過孔對應(yīng)所述第一信號線的上升部。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求6所述的顯示基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





