[發明專利]一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜及其制備方法在審
| 申請號: | 201810426301.9 | 申請日: | 2018-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN108544826A | 公開(公告)日: | 2018-09-18 |
| 發明(設計)人: | 吳明在;白志滿;焦尚青 | 申請(專利權)人: | 安徽大學 |
| 主分類號: | B32B27/32 | 分類號: | B32B27/32;B32B27/06;B32B27/36;B32B27/08;B32B7/12;B32B37/12;B32B38/16;C09J175/04;C09J11/04 |
| 代理公司: | 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司 34101 | 代理人: | 盧敏 |
| 地址: | 230601 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蒙脫土 納米復合薄膜 制備 納米改性 粘合劑 高阻隔 阻隔性 阻隔 柔性透明薄膜 聚合物薄膜 溶液共混法 外層聚合物 粘合劑形成 力學性能 增強體 粘結層 薄膜 | ||
1.一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜,其特征在于:所述納米復合薄膜是在內層聚合物薄膜和外層聚合物薄膜之間設置有阻隔粘結層;所述阻隔粘結層為蒙脫土納米改性粘合劑;所述蒙脫土納米改性粘合劑是以蒙脫土為增強體,通過溶液共混法,在粘合劑中均勻分散而制得。
2.根據權利要求1所述的一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜,其特征在于:所述的內層聚合物薄膜為聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚偏二氯乙烯薄膜、乙烯-醋酸乙烯共聚物薄膜或乙烯-乙烯醇共聚物薄膜;所述的外層聚合物薄膜為聚丙烯薄膜、聚酰胺薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜或聚氯乙烯薄膜。
3.根據權利要求1所述的一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜,其特征在于:所述的粘合劑為水性丙烯酸類粘合劑、水性聚氨酯類粘合劑、聚酯溶劑型聚氨酯類粘合劑、聚醚溶劑型聚氨酯類粘合劑或聚烯烴溶劑型聚氨酯類粘合劑。
4.根據權利要求1所述的一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜,其特征在于:在所述蒙脫土納米改性粘合劑中,蒙脫土的質量占粘合劑固含量的0.02~5.0wt%。
5.根據權利要求1所述的一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜,其特征在于:所述的蒙脫土為有機蒙脫土或硅烷偶聯劑處理的有機蒙脫土。
6.根據權利要求5所述的一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜,其特征在于:所述的硅烷偶聯劑處理的有機蒙脫土的制備方法是按以下步驟進行:
首先取1-10mL硅烷偶聯劑滴入70-700mL無水乙醇中,用1mol/L草酸溶液滴定至pH在4~6之間,水解1小時,獲得水解后偶聯劑;然后取有機蒙脫土5-50g溶于100-1000mL無水乙醇中,與所述水解后偶聯劑一起置于三口燒瓶中,60-80℃水浴攪拌,冷凝回流1-3h,生成物用無水乙醇清洗、80℃下干燥、研磨過200目篩,即得到硅烷偶聯劑處理的有機蒙脫土。
7.根據權利要求5或6所述的一種蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜,其特征在于:所述的硅烷偶聯劑為γ―氨丙基三乙氧基硅烷、γ―(2,3-環氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或γ―甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
8.一種權利要求1~7中任意一項所述蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將蒙脫土加入到溶劑中,在室溫條件下超聲分散40~90min,得到蒙脫土懸浮液;
(2)將所述蒙脫土懸浮液加入到粘合劑中,在20~45℃條件下機械攪拌60~120min,得到蒙脫土納米改性粘合劑;
(3)利用干式復合法,通過輥壓的方式,將蒙脫土納米改性粘合劑涂覆在外層聚合物薄膜的內表面,待蒙脫土納米改性粘合劑干燥形成薄膜后,再覆蓋內層聚合物薄膜,從而使內、外兩層聚合物薄膜粘合在一起;
(4)將復合后的薄膜在30~60℃的熟化室中熟化處理48~120h,即獲得蒙脫土基高阻隔納米復合薄膜。
9.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,所述的溶劑為蒸餾水或乙酸乙酯。
10.根據權利要求8所述的制備方法,其特征在于:步驟(3)中,干式復合法的復合工藝為:干基上膠量為1.5~3.0g/m2,網線輥為140~200目,烘道溫度分區設定為40~70℃、50~80℃、60~90℃,復合輥溫為50~80℃,復合速度為50~200m/min,復合壓力為0.2~0.6MPa。
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