[發(fā)明專(zhuān)利]圖像傳感器及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810426241.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108538874B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高俊九;李志偉;黃仁德 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振華;吳敏 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 及其 形成 方法 | ||
1.一種圖像傳感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底的表面具有第一介質(zhì)層;
刻蝕所述第一介質(zhì)層,以在所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成網(wǎng)格狀的格柵溝槽;
在所述格柵溝槽內(nèi)填充格柵材料,以形成網(wǎng)格狀的格柵;
在所述第一介質(zhì)層的表面形成襯墊,所述襯墊的一部分覆蓋所述格柵的一部分,以使所述襯墊與所述格柵電連接;
所述圖像傳感器的形成方法還包括:
形成第二介質(zhì)層,所述第二介質(zhì)層覆蓋所述襯墊、第一介質(zhì)層以及格柵;刻蝕所述第二介質(zhì)層以及所述第一介質(zhì)層,以在所述襯墊上方的第二介質(zhì)層內(nèi)形成襯墊開(kāi)口,以及在所述格柵之間的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層內(nèi)形成濾鏡開(kāi)口,所述襯墊開(kāi)口的底部暴露所述襯墊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,所述濾鏡開(kāi)口的寬度小于相鄰的格柵之間的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,在所述第一介質(zhì)層的表面形成襯墊包括:
形成襯墊層,所述襯墊層覆蓋所述第一介質(zhì)層;
刻蝕所述襯墊層,以在所述第一介質(zhì)層的表面形成所述襯墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器的形成方法,其特征在于,在刻蝕所述第一介質(zhì)層之前,還包括:
刻蝕所述第一介質(zhì)層和半導(dǎo)體襯底以形成穿通孔,所述穿通孔貫穿所述半導(dǎo)體襯底以及所述第一介質(zhì)層。
5.一種圖像傳感器,其特征在于,包括:
半導(dǎo)體襯底;
第一介質(zhì)層,位于所述半導(dǎo)體襯底的表面;
網(wǎng)格狀的格柵溝槽,位于所述第一介質(zhì)層內(nèi);
網(wǎng)格狀的格柵,位于所述格柵溝槽內(nèi);
襯墊,位于所述第一介質(zhì)層的表面,所述襯墊的一部分覆蓋所述格柵的一部分,以使所述襯墊與所述格柵電連接;
所述圖像傳感器還包括:
第二介質(zhì)層,覆蓋所述襯墊、第一介質(zhì)層以及格柵;
襯墊開(kāi)口,位于所述襯墊上方的第二介質(zhì)層內(nèi);
濾鏡開(kāi)口,位于所述格柵之間的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層內(nèi),且所述襯墊開(kāi)口的底部暴露所述襯墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其特征在于,所述濾鏡開(kāi)口的寬度小于相鄰的格柵之間的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其特征在于,所述濾鏡開(kāi)口的底面與所述格柵溝槽的底面齊平。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其特征在于,還包括:
穿通孔,所述穿通孔貫穿所述半導(dǎo)體襯底以及所述第一介質(zhì)層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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