[發明專利]暫時性接著用組成物以及暫時性接著用溶液

有效

• 申請號: 201810425352.X
• 申請日: 2018-05-07
• 公開（公告）號: CN110295026B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 張修明;洪宗泰;蕭麗蓉;林博文
• 申請（專利權）人: 臺虹科技股份有限公司
• 主分類號: C09J179/08
• 分類號: C09J179/08;C09J11/04;C08G73/10;C09J7/10
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

本發明提供一種暫時性接著用組成物以及暫時性接著用溶液。所述暫時性接著用組成物包括二酐單體、吸光單體以及吸光材料。吸光單體包括N,N,N’,N’?四(對氨基苯基)?對苯二胺及N,N’?雙(4?氨基苯基)?N,N’?二苯基?對苯二胺中的至少一者。吸光材料包括碳黑及二氧化硅。

技術領域

本發明涉及一種暫時性接著用組成物以及暫時性接著用溶液，尤其涉及一種含有高吸旋光性的吸光材料的暫時性接著用組成物以及暫時性接著用溶液。

背景技術

隨著微電子工業的發展以及電子市場的驅動，半導體封裝技術越來越朝向更小、更輕薄且性能更加優良的趨勢邁進。為了使晶圓在使用中能夠更佳地散熱、延長壽命并有利于后期系統封裝，通常需要將晶圓片的厚度降至100μm。一般而言，先將晶圓器件暫時性地黏接至較厚的承載玻璃上，通過對晶圓背部進行腐蝕、研磨等處理以減少一定厚度，再通過外界的光、電、熱或力使黏接層失效，而將晶圓器件與承載體分離而完成，其中用來先接著后離型的暫時性接著層對制程是否能夠成功實施具有關鍵性的影響。更詳細而言，暫時性接著層在晶圓增層暫時固定、厚晶圓減薄與裁切暫時固定以及運送暫時固定的情況下，均發揮相當重要的作用。

在現有技術中，暫時性接著層的解黏方式包括UV光照射解黏、溶劑解黏或激光解黏。UV光照射解黏的耐熱溫度約為120℃，無法耐溫至260℃，容易受到日害影響，造成解黏反應提早發生。溶劑解黏的缺點則為耐溶劑性不佳，因此，可能造成制程上限制，故不符合市場需求。激光解黏的耐熱性及耐化性較佳，但一般只在波長為355nm或532nm的激光照射下失去黏著力，較少適用于波長為1064nm的激光，因此，較不易使用紅光激光解黏。

基于上述，發展出一種通過激光吸收降低黏著力的暫時性接著層，以提高激光波長吸收度，為目前所需研究的重要課題。

發明內容

本發明提供一種暫時性接著用組成物，含有高吸旋光性的吸光材料，具有良好耐熱性、耐化性及密著性，可通過吸收波長為1064nm的激光降低黏著力。

本發明的暫時性接著用組成物包括二酐單體、吸光單體以及吸光材料，其中吸光單體包括N,N,N’,N’-四(對氨基苯基)-對苯二胺及N,N’-雙(4-氨基苯基)-N,N’-二苯基-對苯二胺中的至少一者，吸光材料包括碳黑及二氧化硅。

在本發明的一實施例中，二酐單體為2,3,3',4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐以及3,3',4,4'-二苯醚四羧酸二酐的其中一種。

在本發明的一實施例中，以暫時性接著用組成物的總重量計，二酐單體的添加量為10wt％至40wt％，吸光單體的添加量為10wt％至20wt％，吸光材料的添加量為20wt％至50wt％。

在本發明的一實施例中，暫時性接著用組成物還包括溶劑，溶劑包括N-甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺或環己酮。

在本發明的一實施例中，以暫時性接著用組成物的總重量計，溶劑的添加量為10wt％至60wt％。

在本發明的一實施例中，暫時性接著用組成物在波長為1064nm的激光照射下失去黏著力。

在本發明的一實施例中，暫時性接著用組成物的耐熱溫度為350℃至450℃。

本發明提供一種暫時性接著用溶液，包括上述暫時性接著用組成物，可采用旋轉涂布方式涂布。

在本發明的一實施例中，以溶劑稀釋上述暫時性接著用組成物以制備暫時性接著用溶液，以暫時性接著用組成物的總重量計，溶劑的添加量為10wt至60wt％。