[發(fā)明專利]半導(dǎo)體元件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810425128.0
• 申請日: 2018-05-07
• 公開（公告）號: CN110459673B
• 公開（公告）日: 2022-11-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪慶文;王裕平
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，包含：

提供基底包含磁性隧穿接面區(qū)域以及邊緣區(qū)域；

形成第一金屬間介電層于該基底上；

形成第一磁性隧穿接面于該磁性隧穿接面區(qū)域和該第一金屬間介電層上；

形成第二磁性隧穿接面于該邊緣區(qū)域和該第一金屬間介電層上，其中該第二磁性隧穿接面的頂面不連接金屬內(nèi)連線；

形成遮蓋層于該第一磁性隧穿接面和該第二磁性隧穿接面上，其中該遮蓋層共形地設(shè)置在該第一磁性隧穿接面的側(cè)壁、該第二磁性隧穿接面的側(cè)壁和該第二磁性隧穿接面的頂面上，該遮蓋層的厚度小于該第一磁性隧穿接面的厚度；以及

形成第二金屬間介電層于該遮蓋層上，其中該遮蓋層的頂面與該第二金屬間介電層的頂面齊平。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該遮蓋層包含氮化硅。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含于形成該第一磁性隧穿接面以及該第二磁性隧穿接面之前形成第一接觸洞導(dǎo)體以及第二接觸洞導(dǎo)體于該第一金屬間介電層內(nèi)，其中該第一接觸洞導(dǎo)體連接該第一磁性隧穿接面且該第二接觸洞導(dǎo)體連接該第二磁性隧穿接面。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含形成第三接觸洞導(dǎo)體于該第二金屬間介電層上并連接該第一磁性隧穿接面。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，另包含：

形成第三金屬間介電層于該第一金屬間介電層以及該基底之間；

形成金屬內(nèi)連線于該第三金屬間介電層內(nèi)，其中該金屬內(nèi)連線電連接該第一磁性隧穿接面；以及

形成溝槽導(dǎo)體于該第三金屬間介電層內(nèi)，其中該溝槽導(dǎo)體電連接該第二磁性隧穿接面。

6.一種半導(dǎo)體元件，包含：

基底，包含磁性隧穿接面區(qū)域以及邊緣區(qū)域；

第一金屬間介電層，設(shè)于該基底上；

第一磁性隧穿接面，設(shè)于該磁性隧穿接面區(qū)域和該第一金屬間介電層上；

第二磁性隧穿接面，設(shè)于該邊緣區(qū)域和該第一金屬間介電層上，其中該第二磁性隧穿接面的頂面不連接金屬內(nèi)連線；

遮蓋層，設(shè)于該第一磁性隧穿接面和該第二磁性隧穿接面上，其中該遮蓋層共形地設(shè)置在該第一磁性隧穿接面的側(cè)壁、該第二磁性隧穿接面的側(cè)壁和該第二磁性隧穿接面的頂面上，該遮蓋層的厚度小于該第一磁性隧穿接面的厚度；以及

在該遮蓋層上的第二金屬間介電層，其中該遮蓋層的頂面與該第二金屬間介電層的頂面齊平。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，另包含第一接觸洞導(dǎo)體以及第二接觸洞導(dǎo)體設(shè)于該第一金屬間介電層內(nèi)，其中該第一接觸洞導(dǎo)體連接該第一磁性隧穿接面且該第二接觸洞導(dǎo)體連接該第二磁性隧穿接面。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，另包含第三接觸洞導(dǎo)體設(shè)于該第二金屬間介電層上并連接該第一磁性隧穿接面。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，另包含：

第三金屬間介電層，設(shè)于該第一金屬間介電層以及該基底之間；

金屬內(nèi)連線，設(shè)于該第三金屬間介電層內(nèi)，其中該金屬內(nèi)連線電連接該第一磁性隧穿接面；以及

溝槽導(dǎo)體，設(shè)于該第三金屬間介電層內(nèi)，其中該溝槽導(dǎo)體電連接該第二磁性隧穿接面。

10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中該遮蓋層包含氮化硅。