[發(fā)明專利]一種B4C-HEAs梯度材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810419911.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108687351B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 季偉;柯博仁;傅正義;王為民;王皓;王玉成;張金詠;張帆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | B22F7/02 | 分類號(hào): | B22F7/02;B22F3/105;B22F3/14 |
| 代理公司: | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人: | 鄔麗明 |
| 地址: | 430070 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 梯度材料 制備 分段燒結(jié) 燒結(jié) 金屬層 陶瓷層 形貌 多層梯度材料 合金粉末 機(jī)械合金 界面連接 上升變化 燒結(jié)成本 性質(zhì)變化 一體結(jié)構(gòu) 整體梯度 中間層 混料 少層 | ||
1.一種B4C-HEAs梯度材料,其特征在于,所述B4C-HEAs梯度材料由N層材料燒結(jié)為一體結(jié)構(gòu),其中N≥5,N層材料自上而下由富陶瓷層通過(guò)多個(gè)中間層逐步過(guò)渡到富金屬層,每層的HEAs質(zhì)量呈梯度上升變化,所述HEAs是由機(jī)械合金方法制備的合金粉末,所述富陶瓷層的HEAs含量為1wt%~50wt%,硅的含量為0wt%~5wt%,其余為B4C;所述富金屬層的HEAs含量為50wt%~100wt%,硅的含量為0wt%~5wt%,其余為B4C,所述B4C-HEAs梯度材料為B4C-高熵合金梯度材料。
2.如權(quán)利要求1所述的B4C-HEAs梯度材料,其特征在于,相鄰兩層之間HEAs含量的變化量為1wt%~10wt%,相鄰兩層之間B4C含量的變化量為1wt%~10wt%。
3.如權(quán)利要求1所述的B4C-HEAs梯度材料,其特征在于,每層厚度1mm~10mm。
4.如權(quán)利要求1所述的B4C-HEAs梯度材料,其特征在于,所述HEAs是以Co、Cr、Fe、Ni、Al、Cu、Zn、Ti、Mn、Zr、Ta、Sn、Y、Mo、V、Nb、W、Ir、Cd元素中選取五種或五種以上以等原子比混合后制備而得。
5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的B4C-HEAs梯度材料的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)混料步驟:
將N份原料分別倒入混料罐,利用滾筒球磨機(jī)混料,混合后的料漿干燥過(guò)篩后得到N份混合料,N≥5;N份原料中,第1份原料的組成為:HEAs合金粉體含量為1wt%~50wt%,硅粉的含量為0wt%~5wt%,其余為B4C粉;第N份原料的組分比為:HEAs合金粉體含量為50wt%~100wt%,硅粉的含量為0wt%~5wt%,其余為B4C粉;
自第1份原料到第N份原料,每份原料的HEAs合金粉體含量呈梯度上升變化,相鄰兩份原料的HEAs合金粉體含量的變化量為1wt%~10wt%;
(2)分段燒結(jié)步驟:
將所述N份混合料按照HEAs合金粉體含量遞增的順序,分為2M-1組,M=2~4,其中,各偶數(shù)組僅包括1份混合料,各奇數(shù)組包括多份混合料,將M個(gè)奇數(shù)組分別置入M個(gè)石墨模具中,在各石墨模具中,按照HEAs合金粉體含量遞增的順序,將各份混合料依次鋪層,混合料與石墨模具之間以石墨紙隔開(kāi);
然后將填充混合料的M個(gè)石墨模具分別在1000℃~1800℃的不同溫度下進(jìn)行熱壓燒結(jié)或放電等離子體燒結(jié),得到M個(gè)燒結(jié)料;
(3)連接步驟:
按照HEAs合金粉體含量遞增的順序,將對(duì)應(yīng)1號(hào)組和3號(hào)組的兩個(gè)燒結(jié)料中間夾以2號(hào)組的混合料,置于石墨模具中,在1500℃~1700℃溫度下進(jìn)行熱壓燒結(jié)或放電等離子體燒結(jié),得到多層梯度材料;若M=2,則連接結(jié)束,所述多層梯度材料即為制得的梯度材料;
若M>2,繼續(xù)按照HEAs合金粉體含量遞增的順序,將所述多層梯度材料和對(duì)應(yīng)5號(hào)組的燒結(jié)料中間夾以4號(hào)組的混合料,置于石墨模具中,在1200℃~1600℃溫度下進(jìn)行熱壓燒結(jié)或放電等離子體燒結(jié);
如此繼續(xù),直至將對(duì)應(yīng)第2M-1組的燒結(jié)料進(jìn)行熱壓燒結(jié)或放電等離子體燒結(jié),最后燒結(jié)溫度為1100℃~1500℃,得到梯度材料。
6.如權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述混料步驟中,所述HEAs合金粉體純度大于或等于99.5%,粒度為325目,其中氧含量小于或等于0.3%;所述硅粉純度大于或等于99.999%,粒度為325目,含氧量小于或等于0.001wt%;所述B4C粉純度大于或等于99.0%,平均粒徑1-10μm,含氧量小于或等于0.6wt%。
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