[發(fā)明專利]一種具有超高頻率比的多頻帶頻率選擇結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810418330.0
• 申請日: 2018-05-04
• 公開（公告）號: CN108682963B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃敏杰
• 申請（專利權(quán)）人: 北京航空航天大學(xué)
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有超高頻率比的多頻帶頻率選擇結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法，其特征在于：

該方法包括以下步驟：

步驟1、根據(jù)需要應(yīng)用頻率選擇表面的特點(diǎn)，選擇多周期組合陣列或者不同密度組合陣列的單元陣列組合方式，如果需要應(yīng)用頻率選擇表面的結(jié)構(gòu)容易展開為平面或使用平面頻率選擇結(jié)構(gòu)進(jìn)行映射設(shè)計(jì)則采用多周期組合陣列，否則推薦采用不同密度組合陣列；

步驟2、根據(jù)設(shè)計(jì)需求中的力學(xué)性能要求結(jié)合頻響曲線、入射角、極化特性要求，確定多諧振頻帶型頻率選擇結(jié)構(gòu)所采用的介質(zhì)、介質(zhì)加載形式和實(shí)現(xiàn)各頻帶所用的單元形式；

步驟3、對于多周期組合陣列，根據(jù)設(shè)計(jì)需求中的諧振頻帶中心頻率、帶寬、過渡帶寬度和帶外透/反射率要求確定各組成單元尺寸參數(shù)和陣列周期；對于不同密度組合陣列，根據(jù)設(shè)計(jì)需求中的諧振頻帶中心頻率、帶寬、過渡帶寬度和帶外透/反射率要求確定各組成單元尺寸參數(shù)和陣子密度；

步驟4、對于多周期組合陣列，對組成單元陣列進(jìn)行組合，同時(shí)調(diào)整拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以保證組合后形成的單元具備拓?fù)渫暾裕粚τ诓煌芏冉M合陣列，按照設(shè)計(jì)密度參數(shù)對陣子進(jìn)行排布，在滿足密度參數(shù)約束的前提下保證組合后每個(gè)陣子具備拓?fù)渫暾裕?/p>

步驟5、對設(shè)計(jì)得到的多周期組合陣列/不同密度組合陣列的電性能進(jìn)行仿真分析，如果滿足設(shè)計(jì)需求則輸出設(shè)計(jì)結(jié)果，否則回到步驟2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有超高頻率比的多頻帶頻率選擇結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述步驟3中參與嵌套組合的單元陣列各自具有不同的諧振頻帶，較高中心頻率與較低中心頻率之差5％×較高中心頻率，諧振頻帶重疊帶50％×較小頻帶寬。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有超高頻率比的多頻帶頻率選擇結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法，其特征在于：所述步驟4中嵌套組合后形成的各單元陣列具備拓?fù)渫暾缘呐袛嘁罁?jù)為：帶通型單元陣列的導(dǎo)電層縫隙或三維立體單元陣列的腔體在嵌套組合后不連通或僅在縫隙或腔體磁流0點(diǎn)處連通，帶阻型單元陣列的導(dǎo)電層或三維立體單元的導(dǎo)電體在嵌套組合后不連通或僅在表面電流0點(diǎn)處連通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有超高頻率比的多頻帶頻率選擇結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方法，其特征在于：高頻頻帶的中心頻率與低頻頻帶的中心頻率之比大于2，高頻帶內(nèi)的透射率/反射率可以顯著高于傳統(tǒng)單一周期組合或同密度組合陣列。