[發(fā)明專利]一種單相主動(dòng)滅弧式短路保護(hù)裝置的功率電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810416268.1
• 申請(qǐng)日: 2018-05-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110445359A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張磊;周長(zhǎng)安
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北秦安全技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/32
• 分類號(hào): H02M1/32
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 羅煥清

1.一種單向主動(dòng)滅弧式短路保護(hù)裝置的功率電路，其特征在于，包括：

功率模塊，電連接于輸入電網(wǎng)端Lin與輸出負(fù)載端Lout的之間，且用于控制輸入電網(wǎng)端Lin與輸出負(fù)載端Lout之間電網(wǎng)通斷的IGBT電路(1)；

所述IGBT電路(1)包括第八二極管(D8)、第二絕緣柵雙極型晶體管(Q2)、第九二極管(D9)、第四絕緣柵雙極型晶體管(Q4)、第十二雙向TVS管(D12)和第十一雙向TVS管(D11)；

所述第八二極管(D8)的負(fù)極與輸入電網(wǎng)端Lin相連且正極接地；

所述第九二極管(D9)的負(fù)極與輸出負(fù)載端Lout相連且正極接地；

所述第二絕緣柵雙極型晶體管(Q2)的集電極與第八二極管(D8)的負(fù)極耦接，其發(fā)射極接地；

所述第四絕緣柵雙極型晶體管(Q4)的集電極與第九二極管(D9)的負(fù)極耦接，其發(fā)射極接地；

所述IGBT電路(1)上設(shè)有電壓瞬態(tài)抑制管(2)；

所述電壓瞬態(tài)抑制管(2)包括第七雙向TVS管(D7)，所述第七雙向TVS管(D7)的一端與輸入電網(wǎng)端Lin電連接，另一端與輸出負(fù)載端Lout相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單向主動(dòng)滅弧式短路保護(hù)裝置的功率電路，其特征在于：所述電壓瞬態(tài)抑制管(2)還包括與第七雙向TVS管(D7)串聯(lián)耦接的第四雙向TVS管(D4)和與第四雙向TVS管(D4)串聯(lián)耦接的第十雙向TVS管(D10)，所述第十雙向二極管(D10)的另一端與輸出負(fù)載端Lout電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單向主動(dòng)滅弧式短路保護(hù)裝置的功率電路，其特征在于：所述IGBT電路(1)上設(shè)有第一快恢復(fù)電路(3)，所述第一快恢復(fù)電路(3)包括第三快恢復(fù)二極管(D3)和與第三快恢復(fù)二極管(D3)串聯(lián)的第五二極管(D5)，所述第三快恢復(fù)二極管(D3)的負(fù)極與輸入電網(wǎng)端Lin電連接，所述第五二極管(D5)的負(fù)極與第二絕緣柵雙極型晶體管(Q2)的門(mén)極耦接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單向主動(dòng)滅弧式短路保護(hù)裝置的功率電路，其特征在于：所述第一快恢復(fù)電路(3)還包括正極與第三快恢復(fù)二極管(D3)的負(fù)極耦接的第二快恢復(fù)二極管(D2)和負(fù)極與第二快恢復(fù)二極管(D2)的正極耦接的第一快恢復(fù)二極管(D1)，所述第一快恢復(fù)二極管(D1)的正極與第五二極管(D5)的正極耦接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單向主動(dòng)滅弧式短路保護(hù)裝置的功率電路，其特征在于：所述IGBT電路(1)上還設(shè)有第二快恢復(fù)電路(4)，所述第二快恢復(fù)電路(4)的一端靠近輸出負(fù)載端Lout，其另一端與第四絕緣柵雙極型晶體管(Q4)耦接，所述第二快恢復(fù)電路(4)包括負(fù)極與輸出負(fù)載端Lout耦接的第十六快恢復(fù)二極管(D16)、負(fù)極與第十六快恢復(fù)二極管(D16)的正極耦接的第十五快恢復(fù)二極管(D15)、負(fù)極與第十五快恢復(fù)二極管(D15)耦接的第十四快恢復(fù)二極管(D14)和正極與第十四快恢復(fù)二極管(D14)耦接的第十八二極管(D18)，所述第十八二極管(D18)的負(fù)極與第四絕緣柵雙極型晶體管(Q4)的門(mén)極耦接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單向主動(dòng)滅弧式短路保護(hù)裝置的功率電路，其特征在于：第二絕緣柵雙極型晶體管(Q2)的門(mén)極耦接有第十二雙向TVS管(D12)，所述第十二雙向TVS管(D12)的另一端接地設(shè)置，所述第四絕緣柵雙極型晶體管(Q4)的門(mén)極耦接有第十一雙向TVS管(D11)，所述第十一雙向TVS管(D11)的另一端接地設(shè)置。