[發明專利]一種微晶陶瓷電容芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 201810415927.X
• 申請日: 2018-05-03
• 公開（公告）號: CN108529886B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 何鵬飛;易建超;胡錦龍
• 申請（專利權）人: 東莞市美志電子有限公司
• 主分類號: C03C10/02
• 分類號: C03C10/02;C03B19/02;C03C21/00
• 代理公司: 東莞科強知識產權代理事務所(普通合伙) 44450
• 代理人: 李英華

1.一種微晶陶瓷電容芯片，包括陶瓷本體和分別設置于陶瓷本體兩相對面的正負極，其特征在于：所述陶瓷本體包括主料和輔料，主料包括Ba₂Ti₉O₂₀、BaTi₄O₉、BaTi₃O₇、BaTi₅O₁₁和BaTi₆O₁₃中的至少一種，輔料包括以下摩爾百分比的原料：Si 4-5%,Ca 1.5-2.5%，As2.5-3.5%，K 2-3%，Mo 6-7%；所述輔料還包括以下摩爾百分比的原料：In 4-5.5%，I 0.5-2%；還包括以下摩爾百分比的穩定相：Ba₆Ti₁₇O₄₀ 9-14%、Ba₄Ti₁₃O₃₀ 20-24%、TiO₂ 15-18% 以及介穩相BaTi₂O₅ 18-20%；上述原料摩爾百分比總量為100%。

2.根據權利要求1所述的一種微晶陶瓷電容芯片，其特征在于：所述主料為Ba₂Ti₉O₂₀。

3.如權利要求1-2任一項所述的一種微晶陶瓷電容芯片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：A、按照配方比例取原料并混合至均勻，將混合均勻后的原料置于 燒熔爐中燒融；B、將燒融后的原料置于 潔凈的模具中凝固成型，得到坯料；C、對坯料進行表面粗研磨處理，坯料達到指定厚度和平整度后再進行精細研磨處理；D、將步驟C中研磨完成的坯料置于 置換溶液中進行鈉鉀離子置換處理，然后晾干，在對坯料表面或外圓進行涂釉處理；E、對步驟D得到的坯料置于 烘烤設備中進行一次烘烤處理，烘烤完成后于陶瓷本體兩相對面的涂設正負極，再將其置于 烘烤設備中進行二次烘烤處理。

4.根據權利要求3所述的一種微晶陶瓷電容芯片的制備方法，其特征在于：所述步驟A中燒融爐的燒融溫度為2900-3200℃。

5.根據權利要求3所述的一種微晶陶瓷電容芯片的制備方法，其特征在于：所述步驟D中置換處理的處理溫度為290-310℃，處理時間為22-26h。

6.根據權利要求3所述的一種微晶陶瓷電容芯片的制備方法，其特征在于：所述步驟E中一次烘烤處理的處理溫度為190-210℃，處理時間為1.5-2.5h；所述二次烘烤處理的處理溫度為800-1000℃，處理時間為28-32min。