[發(fā)明專利]MEMS傳感器的封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810415088.1
• 申請(qǐng)日: 2018-05-03
• 公開（公告）號(hào): CN108622847A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張旭輝;徐愛東;卞玉民;楊擁軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北美泰電子科技有限公司
• 主分類號(hào): B81B7/02
• 分類號(hào): B81B7/02;B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 林艷艷

1.一種MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，包括：

使用印制電路板PCB基板或者塑封空腔金屬引線框架作為基底；

將目標(biāo)墊片固定在所述基底的預(yù)設(shè)位置處；

將微機(jī)電系統(tǒng)MEMS傳感器芯片固定在所述目標(biāo)墊片上；

將所述MEMS傳感器芯片與所述基底進(jìn)行電氣連接；

在所述MEMS傳感器芯片的表面設(shè)置保護(hù)層；

根據(jù)所述目標(biāo)墊片和設(shè)置保護(hù)層后的MEMS傳感器芯片，對(duì)所述基底進(jìn)行切割。

2.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，還包括：

在所述基底的特定位置開孔；

在所述目標(biāo)墊片上開孔，其中，所述目標(biāo)墊片的開孔位置與所述基底的開孔位置對(duì)應(yīng)；

在所述MEMS傳感器芯片上開孔，其中，所述MEMS傳感器芯片的開孔位置與所述目標(biāo)墊片的開孔位置對(duì)應(yīng)。

3.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，所述將目標(biāo)墊片固定在所述基底的預(yù)設(shè)位置處包括：

采用低應(yīng)力膠或者低應(yīng)力焊料將所述目標(biāo)墊片固定在所述基底的預(yù)設(shè)位置處，所述低應(yīng)力膠為硅膠或硅酮膠，所述低應(yīng)力焊料為鉛錫焊料。

4.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，所述將所述MEMS傳感器芯片與所述基底進(jìn)行電氣連接包括：

采用引線鍵合工藝完成所述MEMS傳感器芯片與所述基底的電氣連接。

5.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，所述在所述MEMS傳感器芯片的表面設(shè)置保護(hù)層包括：

采用氣相沉積工藝和/或灌封方法在所述MEMS傳感器芯片的表面形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的結(jié)構(gòu)為單層結(jié)構(gòu)或者多層復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)層的材質(zhì)為硅凝膠或者派瑞林。

6.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，所述目標(biāo)墊片的材質(zhì)為硅、陶瓷或金屬，所述目標(biāo)墊片的厚度為0.1毫米至1毫米。

7.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，所述基底或者所述目標(biāo)墊片的結(jié)構(gòu)中包含凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，所述凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)的厚度為10微米至100微米。

8.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝方法，其特征在于，所述基底或者所述目標(biāo)墊片的結(jié)構(gòu)中包含凹坑結(jié)構(gòu)，所述凹坑結(jié)構(gòu)用于平坦化或者定限位。

9.一種MEMS傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基底、目標(biāo)墊片和MEMS傳感器芯片；

所述基底為PCB基板或者塑封空腔金屬引線框架，所述目標(biāo)墊片固定在所述基底的預(yù)設(shè)位置處，所述MEMS傳感器芯片固定在所述目標(biāo)墊片上，所述MEMS傳感器芯片與所述基底電氣連接，所述MEMS傳感器芯片的表面設(shè)置有保護(hù)層。

10.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底的特定位置處設(shè)有開孔，所述目標(biāo)墊片上設(shè)有開孔，所述目標(biāo)墊片的開孔位置與所述基底的開孔位置對(duì)應(yīng)，所述MEMS傳感器芯片上設(shè)有開孔，所述MEMS傳感器芯片的開孔位置與所述目標(biāo)墊片的開孔位置對(duì)應(yīng)。