[發明專利]缺陷檢測方法及缺陷檢測系統

有效

• 申請號: 201810415053.8
• 申請日: 2018-05-03
• 公開（公告）號: CN109725499B
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 陳建輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本公開內容提供一種缺陷檢測方法及一種缺陷檢測系統。所述缺陷檢測方法包括：對由晶片檢驗工具掃描的參考晶片的連續的管芯的多個掃描圖像應用排序濾波器，以獲得多個參考管芯圖像；收集由所述晶片檢驗工具掃描的目標晶片的目標管芯的多個目標管芯圖像；將所述多個目標管芯圖像與所述多個參考管芯圖像進行比較，以根據所述多個目標管芯圖像與所述多個參考管芯圖像中的對應像素的像素值的差異來檢測多個缺陷；以及從所檢測到的所述缺陷中排除多個共有缺陷，以檢測印刷在所述目標晶片上的至少一個掩模缺陷，其中所述共有缺陷是通過所述晶片檢驗工具對所述目標晶片實行晶片檢驗而獲得。據此，能夠即時地檢測出掩模上的缺陷并且節省成本。

技術領域

本公開內容涉及一種用于檢測缺陷的方法及一種用于檢測缺陷的系統。

背景技術

光刻(photolithography)是半導體制作的主要工藝之一。在光刻工藝中，使用光將幾何圖案從光掩模轉移到襯底或晶片上的感光性光刻膠。晶片上的每一管芯往往是通過相同的光掩模來印刷。因此，光掩模缺陷所導致的晶片缺陷會重復出現在每一管芯上，因此無法通過例如科磊(KLA)或UVision等基于管芯對管芯比較(die-to-die comparison)的現有晶片檢驗工具來檢測。如此一來，光掩模上存在缺陷可能在所述光掩模缺陷通過掩模檢驗而被檢測到及被修復之前造成顯著的產率損失。

通常每周實行一次掩模檢驗來修補光掩模上的缺陷。然而，掩模檢驗是會拖延工藝的昂貴的介入性操作，且因此頻繁實行掩模檢驗是一種浪費。為將產率損失最小化及降低成本，在不進行掩模檢驗的條件下盡可能早地檢測到光掩模上的缺陷是所期望的。

發明內容

本公開內容的實施例提出一種缺陷檢測方法，包括：對由晶片檢驗工具掃描的參考晶片的連續的管芯的多個掃描圖像應用排序濾波器，以獲得多個參考管芯圖像；收集由所述晶片檢驗工具掃描的目標晶片的目標管芯的多個目標管芯圖像；將所述多個目標管芯圖像與所述多個參考管芯圖像進行比較，以根據所述多個目標管芯圖像與所述多個參考管芯圖像中的對應像素的像素值的差異來檢測多個缺陷；以及從所檢測到的所述缺陷中排除多個共有缺陷，以檢測印刷在所述目標晶片上的至少一個掩模缺陷。其中，所述共有缺陷是通過所述晶片檢驗工具對所述目標晶片實行晶片檢驗而獲得。

本公開內容的實施例提出一種缺陷檢測系統，包括連接裝置、存儲媒體以及處理器。連接裝置被配置成連接晶片檢驗工具以接收由所述晶片檢驗工具掃描的掃描圖像。存儲媒體被配置成存儲由所述連接裝置接收的所述掃描圖像。處理器耦接于所述連接裝置及所述存儲媒體，且被配置成執行指令來實行以下步驟：對由所述晶片檢驗工具掃描的參考晶片的連續的管芯的所述掃描圖像應用排序濾波器，以獲得多個參考管芯圖像；收集由所述晶片檢驗工具掃描的目標晶片的目標管芯的多個目標管芯圖像；將所述多個目標管芯圖像與所述多個參考管芯圖像進行比較，以根據所述多個目標管芯圖像與所述多個參考管芯圖像中的對應像素的像素值的差異來檢測多個缺陷；以及從所檢測到的所述缺陷中排除多個共有缺陷，以檢測印刷在所述目標晶片上的至少一個掩模缺陷。其中，所述共有缺陷是通過所述晶片檢驗工具對所述目標晶片實行晶片檢驗而獲得。

本公開內容的實施例提出一種適用于缺陷檢測系統的缺陷檢測方法，包括：使用晶片檢驗工具對目標晶片實行晶片檢驗，以獲得多個第一缺陷；將由所述晶片檢驗工具掃描的所述目標晶片的目標管芯的多個目標管芯圖像與一組參考管芯圖像進行比較，以獲得多個第二缺陷；以及通過從所述多個第二缺陷排除所述多個第一缺陷來檢測印刷在所述目標晶片上的至少一個掩模缺陷。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開內容的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1示出根據本公開內容實施例的缺陷檢測系統的示意性方塊圖。

圖2示出根據本公開內容實施例的由晶片檢驗工具掃描的掃描圖像的示意圖。