[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810414136.5
• 申請日: 2018-05-03
• 公開（公告）號: CN110444597B
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 吳傳佳
• 申請（專利權）人: 蘇州捷芯威半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/336
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 徐麗

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

制作于所述襯底一側的半導體層，所述半導體層包括溝道層和勢壘層，所述溝道層和勢壘層之間的界面處形成二維電子氣；

制作于所述半導體層遠離所述襯底一側的源極、柵極和漏極；

位于所述半導體層遠離所述襯底一側，且位于所述柵極和漏極之間的至少兩個間隔設置的漏極結終端，所述至少兩個漏極結終端分別與所述漏極短接，保持相等電位；

每個所述漏極結終端包括：

從所述半導體層遠離所述襯底一側生長的生長半導體層；以及

制作于所述生長半導體層遠離所述半導體層一側的歐姆電極，每個所述漏極結終端通過所述歐姆電極分別與所述漏極短接；

所述至少兩個漏極結終端包括相鄰設置的第一漏極結終端、第二漏極結終端以及第三漏極結終端，所述第一漏極結終端靠近柵極設置、所述第三漏極結終端靠近漏極設置、所述第二漏極結終端位于第一漏極結終端和第三漏極結終端之間，第一漏極結終端與第二漏極結終端之間的間距大于第二漏極結終端與第三漏極結終端之間的間距。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述至少兩個漏極結終端從所述柵極向所述漏極的方向延伸，其中，靠近所述漏極的漏極結終端在延伸方向上的長度大于靠近所述柵極的漏極結終端在延伸方向上的長度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述至少兩個漏極結終端從所述柵極向所述漏極的方向延伸，其中，靠近所述漏極的漏極結終端的厚度大于遠離所述漏極的漏極結終端的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體器件,其特征在于，所述至少兩個漏極結終端中，靠近所述柵極的所述第一漏極結終端與所述柵極相鄰的邊界之間的距離大于或等于靠近所述漏極的所述第三漏極結終端與所述漏極相鄰的邊界之間的距離。

5.根據權利要求1所述的半導體器件,其特征在于，所述至少兩個漏極結終端之間還包括至少兩個相鄰的漏極結終端間距，其中，靠近所述柵極的兩個相鄰的漏極結終端的間距大于或等于靠近所述漏極的兩個相鄰的漏極結終端的間距。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極與所述勢壘層之間生成有所述生長半導體層，所述生長半導體層的至少一部分延伸至所述勢壘層或溝道層內。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，還包括位于所述勢壘層上方的介質層，該介質層上開設有柵槽，所述柵槽從介質層延伸到所述勢壘層表面或內部，或者，所述柵槽從所述介質層延伸至所述溝道層內部，所述柵極與所述溝道層之間的生長半導體層位于該柵槽內。

8.根據權利要求1-5任意一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體層還包括：

制作于所述襯底一側的成核層；

制作于所述成核層遠離所述襯底一側的緩沖層；其中，所述成核層位于所述襯底與所述緩沖層之間，所述緩沖層位于所述溝道層與所述成核層之間。