[發明專利]一種大單晶導電材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201810413642.2 | 申請日： | 2018-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN108546985B | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 李雪松;涂小明;詹龍龍 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C30B1/02 | 分類號： | C30B1/02 |
| 代理公司： | 成都正華專利代理事務所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 大單晶 導電 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種大單晶導電材料的制備方法，其特征在于，對多晶導電材料在加載恒定電流的條件下進行退火處理，加熱至退火溫度后保溫、移爐、冷卻，制得大單晶導電材料；其中，退火溫度低于多晶導電材料的熔點溫度，連接多晶導電材料的導體，其熔點高于退火溫度；
所述多晶導電材料為導電金屬、導電合金或導電陶瓷；
所述導電金屬為銅或鋁，所述導電合金為鎳銅合金，所述導電陶瓷為SnO2-ZnO-CuO-Al2O3；
退火處理條件還包括：以流量為200-1000sccm的氬氣作為保護氣，以流量5-20sccm的氫氣作為還原氣體，以10-25℃/min升溫速率升至退火溫度；
保溫時間為1.5-2.5h，移爐速率為1cm/(10-30)min，冷卻速率為50-100℃/min。
2.根據權利要求1所述的大單晶導電材料的制備方法，其特征在于，所述恒定電流為1-100A，所述退火溫度低于多晶導電材料熔點溫度10-400℃。
3.根據權利要求1所述的大單晶導電材料的制備方法，其特征在于，所述導體為非揮發性導體。
4.根據權利要求3所述的大單晶導電材料的制備方法，其特征在于，所述導體為鋁絲或銅絲。
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