[發明專利]一種高導電率的羥基/環氧基外修飾石墨烯透明導電薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201810412015.7
• 申請日: 2018-04-24
• 公開（公告）號: CN108314027B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 苗中正;劉亞兵
• 申請（專利權）人: 鹽城師范學院
• 主分類號: C01B32/19
• 分類號: C01B32/19;C01B32/194
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高導電率的羥基/環氧基外修飾石墨烯透明導電薄膜的制備方法，包括如下步驟：

(1)將溴化碘或者無水三氯化鐵與石墨混合加熱制備三階石墨插層化合物，使三階石墨插層化合物在湍流或者亞/超臨界流體中進行化學反應，從而高效制備三原子層高質量石墨烯；

(2)采用氧化劑和濃酸體系對三原子層高質量石墨烯的外面兩層進行氧化修飾，得到可分散在常見溶劑中的羥基/環氧基外修飾三原子層石墨烯材料，運用線棒涂膜法與旋涂法制備三原子厚度的薄膜后進行還原，得到高導電率透明導電薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述化學反應所處的環境為高速旋轉產生的湍流或者高溫高壓下的亞/超臨界流體。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述化學反應為溴化碘與水的反應，或者三氯化鐵與雙氧水的反應。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述氧化劑和濃酸體系為氯酸鹽與濃硫酸，氯酸鹽與濃硝酸，氯酸鹽與濃硫酸和濃硝酸混酸體系。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述石墨烯的外面兩層進行氧化修飾為制備的三層石墨烯的外面兩層與外界氧化劑發生反應，中間一層保持石墨烯本征狀態。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述羥基/環氧基外修飾三原子層石墨烯材料指三原子層石墨烯表面修飾上的含氧官能團種類為羥基和環氧基，有利于還原處理。