[發明專利]減少背照式圖像傳感器暗電流的方法

在審

• 申請號: 201810410547.7
• 申請日: 2018-05-02
• 公開（公告）號: CN108666333A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 張連謙;李志偉;黃仁德;孟俊生
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，所述減少背照式圖像傳感器暗電流的方法包括如下步驟：

1)提供一器件晶圓；

2)提供一支撐晶圓；

3)將所述器件晶圓正面朝下鍵合于所述支撐晶圓的表面；

4)自所述器件晶圓的背面對所述器件晶圓進行減薄；

5)對減薄后的所述器件晶圓進行刻蝕，以在減薄后的所述器件晶圓內形成背面深溝槽；

6)于含氧氣氛下使用紫外線對所述器件晶圓形成有所述背面深溝槽的表面進行照射。

2.根據權利要求1所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，步驟3)中，所述器件晶圓經由鍵合層鍵合于所述支撐晶圓的表面。

3.根據權利要求2所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，所述鍵合層包括氧化物層。

4.根據權利要求1所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，步驟6)中，紫外線對所述器件晶圓形成有所述背面深溝槽的表面進行照射的時間介于1分鐘～5分鐘之間。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，所述器件晶圓內形成有感光層及金屬互連層；其中，所述感光層包括若干個感光區域，且各所述感光區域之間具有間距；所述金屬互連層位于所述感光層與所述鍵合層之間。

6.根據權利要求5所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，步驟5)中形成的所述背面深溝槽位于所述感光區域之間，以將各所述感光區域相隔離。

7.根據權利要求5所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，步驟6)之后還包括于所述背面深溝槽內填充絕緣材料以形成背面深溝槽隔離結構的步驟。

8.根據權利要求7所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，形成所述背面深溝槽隔離結構之后，還包括于所述感光層遠離所述金屬互連層的表面形成微透鏡陣列的步驟，所述微透鏡陣列包括若干個微透鏡，所述微透鏡與所述感光區域一一上下對應設置。

9.根據權利要求8所述的減少背照式圖像傳感器暗電流的方法，其特征在于，于所述感光層遠離所述金屬互連層的表面形成微透鏡陣列之前，還包括于所述感光層遠離所述金屬互連層的表面形成濾光片的步驟，所述濾光片位于所述微透鏡與所述感光區域之間。