[發明專利]接合裝置以及接合方法有效
| 申請號: | 201810410271.2 | 申請日: | 2018-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN108807193B | 公開(公告)日: | 2023-10-20 |
| 發明(設計)人: | 和田憲雄;小濱范史;元田公男 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 裝置 以及 方法 | ||
1.一種接合裝置,其特征在于,具備:
第一保持部,其從上方吸附保持第一基板;
第二保持部,其從下方吸附保持第二基板;
沖擊器,其從上方按壓所述第一基板的中心部使得所述第一基板的中心部與所述第二基板接觸;
移動部,其使所述第二保持部在同所述第一保持部不相向的非相向位置與同所述第一保持部相向的相向位置之間移動;以及
溫度調節部,其與被配置于所述非相向位置的所述第二保持部相向,所述溫度調節部能夠對被所述第二保持部吸附保持的所述第二基板的溫度進行局部調節。
2.根據權利要求1所述的接合裝置,其特征在于,
所述溫度調節部具備:
冷卻部,其對所述第二基板進行全面冷卻;以及
加熱部,其能夠對所述第二基板進行局部加熱,
其中,所述加熱部被配置在與所述冷卻部相比靠近所述第二基板的位置。
3.根據權利要求2所述的接合裝置,其特征在于,
所述溫度調節部具備主體部,該主體部內置所述冷卻部,
所述加熱部是面狀的發熱體,被安裝于所述主體部中的與所述第二基板相向的面。
4.根據權利要求3所述的接合裝置,其特征在于,
還具備控制部,該控制部控制所述移動部和所述溫度調節部,
所述溫度調節部具備:
第一升降部,其使所述主體部進行升降;以及
測量部,其與所述主體部一并被所述第一升降部進行升降,測量從基準位置到被設定于所述第二保持部的測量位置的距離,
所述移動部具備使所述第二保持部進行升降的第二升降部,
所述控制部使得執行以下處理:第一接近處理,通過控制所述溫度調節部,使用所述第一升降部使所述主體部下降來使所述主體部接近所述第二基板;以及第二接近處理,通過控制所述移動部,根據所述第一接近處理后的所述測量部的測量結果,使用所述第二升降部使所述第二保持部上升來使所述第二基板接近所述主體部。
5.根據權利要求4所述的接合裝置,其特征在于,
在所述第二接近處理中,所述控制部以使所述第二基板與所述加熱部之間的間隔小于5mm的方式來使所述第二基板接近所述主體部。
6.根據權利要求4或5所述的接合裝置,其特征在于,
所述控制部使得執行以下處理:加熱處理,通過控制所述溫度調節部以及所述第二保持部,在使用所述第二保持部吸附保持所述第二基板的狀態下,使用所述加熱部加熱所述第二基板;吸附解除處理,在所述加熱處理后解除所述第二保持部對所述第二基板的吸附保持;以及再吸附處理,在所述吸附解除處理后、且所述第一基板與所述第二基板的接合前,使用所述第二保持部再度吸附保持所述第二基板。
7.根據權利要求6所述的接合裝置,其特征在于,
所述控制部在所述加熱處理中,在使用所述第二保持部吸附保持所述第二基板狀態下,開始向所述加熱部的通電。
8.一種接合方法,是將基板彼此接合的接合方法,該接合方法的特征在于,包括以下工序:
第一保持工序,使用從上方吸附保持第一基板的第一保持部來從上方吸附保持所述第一基板;
第二保持工序,使用被配置于與所述第一保持部不相向的非相向位置并從下方吸附保持第二基板的第二保持部來從下方吸附保持所述第二基板;
溫度調節工序,使用與被配置于所述非相向位置的所述第二保持部相向并能夠對被所述第二保持部吸附保持的所述第二基板的溫度進行局部調節的溫度調節部,來對所述第二基板的溫度進行局部調節;
移動工序,在所述溫度調節工序后,使用使所述第二保持部在所述非相向位置與同所述第一保持部相向的相向位置之間進行移動的移動部,來使所述第二保持部向所述相向位置移動;以及
接觸工序,在所述移動工序后,使用從上方按壓所述第一基板的中心部使得所述第一基板的中心部與所述第二基板接觸的沖擊器,來從上方按壓所述第一基板的中心部使得所述第一基板的中心部與所述第二基板接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





