[發明專利]裝置的形成方法

在審

• 申請號: 201810409528.2
• 申請日: 2018-05-02
• 公開（公告）號: CN109216196A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 蔡嘉慶;邱意為;張宏睿;許立德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張福根;馮志云

提供內連線結構與其形成方法。方法包括形成開口于介電層與蝕刻停止層中，其中開口只部分地延伸穿過蝕刻停止層。方法亦包括產生真空環境于裝置周圍。在產生真空環境于裝置周圍之后，方法包括蝕刻穿過蝕刻停止層，以延伸開口并露出第一導電結構。方法亦包括形成第二導電結構于開口中。

技術領域

本公開實施例關于裝置的形成方法，更特別關于在將晶片輸送至真空腔室之前，部分穿過蝕刻停止層的開口不露出下方的接點以避免其氧化。

背景技術

在使半導體裝置最小化的現有工藝中，需要低介電常數的介電材料作為導電內連線之間的金屬間和/或層間介電層，以在傳遞信號時減少因電容效應產生的電阻-電容延遲。如此一來，介電層的介電常數越低，則相鄰導電線路的寄生電容與集成電路的電阻-電容延遲越低。

然而，作為低介電常數的介電材料的現有材料不理想。特別的是，依介電常數選擇材料時，材料的其他特性如材料硬度或強度可能不適于半導體工藝。如此一來，需改善采用低介電常數的介電材料的工藝。

發明內容

本公開一實施例提供的裝置的形成方法，包括：形成開口于介電層與蝕刻停止層中，其中開口只部分地延伸穿過蝕刻停止層；產生真空環境于裝置周圍；在產生真空環境于裝置周圍之后，蝕刻穿過蝕刻停止層以延伸開口，并露出第一導電結構；以及形成第二導電結構于開口中。

附圖說明

圖1是一些實施例中，鰭狀場效晶體管的透視圖。

圖2至圖6是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖7A、圖7B、與圖7C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖8A、圖8B、與圖8C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖9A、圖9B、與圖9C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖10A、圖10B、與圖10C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖11A、圖11B、與圖11C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖12A、圖12B、與圖12C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖13A、圖13B、與圖13C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖14A、圖14B、與圖14C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖15A、圖15B、與圖15C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖16A、圖16B、與圖16C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖17A、圖17B、與圖17C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖18A、圖18B、與圖18C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖19A、圖19B、與圖19C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖20A、圖20B、與圖20C是一些實施例中，工藝腔室中的鰭狀場效晶體管裝置其剖視圖。

圖21A、圖21B、與圖21C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。

圖22A、圖22B、與圖22C是一些實施例中，形成鰭狀場效晶體管裝置的中間階段其剖視圖。