[發明專利]一種工作在亞閾區的高精度電流檢測電路有效
| 申請號： | 201810407553.7 | 申請日： | 2018-05-02 |
| 公開（公告）號： | CN108845175B | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發明（設計）人： | 方健;羅云鐘;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G01R19/00 | 分類號： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 工作 亞閾區 高精度 電流 檢測 電路 | ||
1.一種工作在亞閾區的高精度電流檢測電路，包括采樣單元、檢測單元和動態偏置單元，
所述采樣單元包括第二PMOS管(MP2)，第二PMOS管(MP2)的漏極連接待檢測電流的正端，其柵極接地，其源極連接電源電壓；待檢測電流的負端接地，待檢測電流流過第二PMOS管(MP2)引起第二PMOS管(MP2)漏端電壓的改變；
所述檢測單元包括第一PMOS管(MP1)、第九PMOS管(MP9)和第一電阻(R1)，第一PMOS管(MP1)的柵極接地，其源極連接電源電壓，其漏極連接第九PMOS管(MP1)的源極；第一電阻(R1)接在第九PMOS管(MP9)的漏極和地之間；
其特征在于，所述動態偏置單元包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8)，
第七PMOS管(MP7)的柵漏短接并連接第八PMOS管(MP8)的柵極和第一NMOS管(MN1)的漏極，其源極連接第六PMOS管(MP6)的柵極、第四PMOS管(MP4)的漏極和所述檢測單元中第九PMOS管(MP9)的源極；
第八PMOS管(MP8)的源極連接第五PMOS管(MP5)的漏極和所述采樣單元中第二PMOS管(MP2)的漏極，其漏極連接第二NMOS管(MN2)的漏極和所述檢測單元中第九PMOS管(MP9)的柵極；
第三PMOS管(MP3)的柵漏短接并連接第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的柵極以及第六PMOS管(MP6)的源極，其源極連接第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的源極并連接電源電壓；
第三NMOS管(MN3)的柵漏短接并連接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的柵極以及第六PMOS管(MP6)的漏極，其源極連接第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的源極并接地；
第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)工作在亞閾區。
2.根據權利要求1所述的工作在亞閾區的高精度電流檢測電路，其特征在于，所述第七PMOS管(MP7)、第八PMOS管(MP8)和第九PMOS管(MP9)的襯底連接電源電壓。
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