[發明專利]接觸插塞的形成方法及集成電路的制造方法

在審

• 申請號: 201810405040.2
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108493153A
• 公開（公告）日: 2018-09-04
• 發明（設計）人: 金紹彤;許平康;方桂芹;黃仁德
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種接觸插塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底上形成有一層間介質層；

在所述層間介質層上形成一應力調整層；

在所述層間介質層和所述應力調整層中形成接觸孔，且所述接觸孔暴露出位于層間介質層下的待引出區；

在所述基底上形成一金屬層，所述金屬層覆蓋所述應力調整層并填充所述接觸孔；

去除位于所述層間介質層上方的所述應力調整層和所述金屬層，并保留位于所述接觸孔中的金屬層，以形成與所述待引出區電連接的接觸插塞；其中，

所述應力調整層具有的應力與所述金屬層具有的應力相反，以至少部分抵消所述金屬層的應力。

2.根據權利要求1中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述金屬層具有的應力為拉應力，所述應力調整層具有的應力為壓應力；或者，所述金屬層具有的應力為壓應力，所述應力調整層具有的應力為拉應力。

3.根據權利要求1中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述接觸孔的形成方法包括：

在所述應力調整層中形成第一通孔，所述第一通孔暴露出部分所述層間介質層；

以所述應力調整層為掩膜，利用所述第一通孔在所述層間介質層中形成穿通所述層間介質層的第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔相連通組成所述接觸孔。

4.根據權利要求1中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料包括鎢、鋁或銅。

5.根據權利要求1中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述應力調整層為氮化硅層。

6.根據權利要去5中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，采用化學氣相沉積法形成所述應力調整層。

7.根據權利要去5中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述應力調整層的厚度范圍為

8.根據權利要去5中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，在形成所述應力調整層之后，以及在形成所述接觸孔之前，還包括：采用紫外線照射處理應力調整層，以增強所述應力調整層的應力。

9.根據權利要求8中所述的接觸插塞的形成方法，其特征在于，所述紫外線照射處理的溫度范圍為200℃～500℃。

10.一種集成電路的制造方法，其特征在于，采用了權利要求1～9中任意一項中所述的接觸插塞的形成方法。