[發(fā)明專利]核殼量子點材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810403829.4 | 申請日： | 2018-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN110408378A | 公開（公告）日： | 2019-11-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄧承雨;楊一行;錢磊;謝相偉 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/06;C09K11/66;C09K11/67;C09K11/87;C09K11/85;C09K11/86;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 官建紅 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈣鈦礦 量子點 核殼量子點 核表面 制備 修補 材料制備技術 金屬離子摻雜 發(fā)光性能 顯示器件 斷裂的 缺陷態(tài) 光色 價帶 晶界 摻雜 金屬 保證 | ||
1.一種核殼量子點材料，其特征在于，包括鈣鈦礦量子點核，所述鈣鈦礦量子點核表面摻雜有第二過渡系金屬。
2.如權利要求1所述的核殼量子點材料，其特征在于，所述核殼量子點材料還包括包覆所述鈣鈦礦量子點核的N型半導體殼。
3.如權利要求2所述的核殼量子點材料，其特征在于，所述鈣鈦礦量子點核表面還包覆有酯材料層，所述酯材料層位于所述鈣鈦礦量子點核和所述N型半導體殼之間。
4.如權利要求2所述的核殼量子點材料，其特征在于，所述N型半導體殼的材料選自ZnO、ZnS、TiO2、SnO2、Ta2O3中的任一一種。
5.如權利要求3所述的核殼量子點材料，其特征在于，所述酯材料層的材料選自己酸酯、庚酸酯、壬酸酯、癸酸酯、辛酸酯、苯基己酸酯、羥基己酸酯、巰基己酸酯和氨基庚酸酯中的至少一種；或
所述酯材料層的材料選自取代或未取代的脂肪酸甲酯、取代或未取代的脂肪酸乙酯、取代或未取代的脂肪酸丙酯、取代或未取代的脂肪酸丁酯、取代或未取代的脂肪酸辛酯、取代或未取代的脂肪酸戊酯、取代或未取代的脂肪酸己酯、取代或未取代的脂肪酸庚酯、取代或未取代的脂肪酸癸酯、取代或未取代的脂肪酸乙二醇酯、取代或未取代的脂肪酸丙三醇酯、取代或未取代的脂肪酸丙二醇酯、取代或未取代的脂肪酸丙烯醇酯和取代或未取代的脂肪酸乙烯醇酯中的至少一種。
6.如權利要求1-5任一項所述的核殼量子點材料，其特征在于，所述鈣鈦礦量子點核為全無機鈣鈦礦量子點核或有機-無機鈣鈦礦量子點核；和/或
所述第二過渡系金屬選自釔或鋯；和/或
所述第二過渡系金屬占所述鈣鈦礦量子點核的摩爾分數(shù)為1-10％。
7.一種核殼量子點材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
提供第二過渡系金屬前驅體和鈣鈦礦量子點核；
將所述第二過渡系金屬前驅體和所述鈣鈦礦量子點核混合后，依次進行第一加熱處理和退火處理，得到表面摻雜有第二過渡系金屬的鈣鈦礦量子點核；
將所述表面摻雜有第二過渡系金屬的鈣鈦礦量子點核包覆一層N型半導體殼，得到所述核殼量子點。
8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第一加熱處理的條件為：溫度220-320℃，時間70-85min；和/或
所述退火處理的條件為：溫度120-150℃。
9.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述第二過渡系金屬前驅體的制備方法包括：將第二過渡系金屬鹽和催化劑溶解在醇中，然后與有機酸混合，進行第二加熱處理；和/或
所述N型半導體殼為ZnS殼，且包覆所述ZnS殼的步驟包括：將鋅鹽和硫粉加入到所述表面摻雜有第二過渡系金屬的鈣鈦礦量子點中，進行第三加熱處理。
10.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，將所述表面摻雜有第二過渡系金屬的鈣鈦礦量子點核包覆一層N型半導體殼的步驟之后，還包括結晶處理。
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