[發明專利]極紫外光源產生方法

在審

• 申請號: 201810402860.6
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108803247A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 張俊霖;傅中其;劉柏村;陳立銳;鄭博中;易威廷;簡上杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

一種極紫外光源產生方法。一種極紫外光源，其包括配置為用以產生第一預脈沖激光光束、第二預脈沖激光光束、及主脈沖激光光束的激光光源。在一些實施例中，在極紫外光容器內使用第一預脈沖激光光束照射液滴以形成重成形液滴。在一些例子中，液滴包括錫液滴。在多種實施例中，隨后通過使用第二預脈沖激光光束照射重成形液滴以形成種子等離子體。隨后，且在一些例子中，使用主脈沖激光光束照射種子等離子體以加熱種子等離子體，進而產生極紫外光。

技術領域

本發明實施例涉及一種極紫外光源產生方法，且特別涉及一種有三重脈沖的極紫外光源產生方法。

背景技術

電子工業已經歷了對更小、更快、并同時能夠支持更多的日益復雜和精巧的功能的電子設備日益增長需求。因此，半導體行業中存在著低制造成本、高性能和低功率集成電路(integrated circuits，ICs)的持續趨勢。至今為止，這些目標在很大程度上是通過縮小半導體集成電路尺寸(例如最小特征尺寸)，并從而提高生產效率和降低相關成本以實現。然而，這種尺寸縮放也造成半導體制造工藝的復雜性增加。因此，需要半導體制造工藝和技術的類似進步以實現半導體集成電路和裝置的持續發展。

僅作為一個范例，在半導體光刻工藝中，可使用光刻模板(如光罩(photomasks，光掩膜)或倍縮光罩(reticles，掩膜))以將圖案光學地轉移到基板上。舉例來說，可以通過將輻射源通過介于中間的光罩或倍縮光罩投影到具有感光材料(例如光刻膠)涂層的基板上來實現這種工藝。通過這種光刻工藝而圖案化的最小特征尺寸受到了投影輻射源的波長限制。有鑒于此，已引入了極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)輻射源和光刻工藝。在今日，極紫外光系統可以使用激光等離子體(laser produced plasma，LPP，激光生成等離子體)的極紫外光源來產生極紫外光。然而，這種系統的低轉換效率和極紫外光源功率性能仍然是關鍵挑戰，并且其分別對每次曝光和輸出量的成本有直接影響。因此，現有的激光等離子體的極紫外光源在各方面都未被證明完全令人滿意。

發明內容

本發明的實施例之一描述了一種方法，包括使用第一預脈沖激光光束在極紫外光容器中照射液滴以形成重成形液滴。在多種實施例中，通過使用第二預脈沖激光光束照射重成形液滴以形成種子等離子體。隨后，及在一些例子中，通過使用主脈沖激光光束照射種子等離子體以加熱種子等離子體，進而產生極紫外光。

在另一個實施例中，討論了一種方法，包括通過使用具有第一波長的第一激光脈沖在極紫外光容器中照射目標，以在極紫外光容器中照射等離子體。在多種例子中，在使用第一激光脈沖照射目標后且在第一延遲時間后，通過使用具有第二波長的第二激光脈沖照射等離子體以加熱等離子體，其中第二波長比第一波長來得長。在一些實施例中，通過加熱的等離子體產生極紫外光。

在又一實施例中，討論了極紫外光源，包括配置為用以產生第一預脈沖激光光束、第二預脈沖激光光束、及主脈沖激光光束的激光光源。在多種實施例中，極紫外光源還包括極紫外光容器，極紫外光容器包括液滴產生器，液滴產生器在極紫外光容器中提供錫液滴。此外，在一些實施例中，極紫外光源包括收集器，在極紫外光容器中的照射區具有第一焦點，且在中間聚焦區有第二焦點。舉例來說極紫外光源配置為用以在極紫外光容器中的照射區使用第一預脈沖激光光束照射錫液滴以形成重成形液滴。在一些范例中，極紫外光源配置為用以使用第二預脈沖激光光束照射重成形液滴以形成種子等離子體。隨后，在一些實施例中，極紫外光源配置為用以使用主脈沖激光光束加熱種子等離子體，以產生從極紫外光容器通過中間聚焦區輸出的極紫外光。

附圖說明

以下將配合說明書附圖詳述本發明的實施例。應注意的是，依據在業界的標準做法，多種特征并未按照比例示出且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本發明的特征。

圖1是根據一些實施例的包括示例性極紫外光容器的極紫外光源的示意圖。

圖2是時域和空域中的示例性雙重脈沖方案的示意圖。