[發明專利]多晶硅層及其制造方法、薄膜晶體管及陣列基板的制造方法有效
| 申請號： | 201810402853.6 | 申請日： | 2018-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN108615680B | 公開（公告）日： | 2020-03-10 |
| 發明（設計）人： | 張慧娟 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3205 | 分類號： | H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 及其 制造 方法 薄膜晶體管 陣列 | ||
1.一種多晶硅層的制造方法，包括：
形成非晶硅層；
采用準分子激光退火工藝對所述非晶硅層進行結晶化處理形成第一多晶硅層，其中，所述準分子激光退火工藝的脈沖頻率為100-400Hz，所述第一多晶硅層的晶粒平均尺寸范圍為180-200nm；
利用綠色激光退火工藝對所述第一多晶硅層進行處理形成第二多晶硅層，所述第二多晶硅層的晶粒平均尺寸范圍為300-320nm，晶粒尺寸的標準差小于80nm。
2.根據權利要求1所述的多晶硅層的制造方法，其中，所述結晶化處理包括采用準分子激光退火工藝對所述非晶硅層進行結晶化處理以形成所述第一多晶硅層。
3.根據權利要求2所述的多晶硅層的制造方法，所述準分子激光退火工藝所采用的準分子激光的能量密度范圍是260-340mJ/cm2。
4.根據權利要求1所述的多晶硅層的制造方法，其中，所述綠色激光退火工藝包括采用綠色激光對所述第一多晶硅層掃描。
5.根據權利要求4所述的多晶硅層的制造方法，其中，所述綠色激光的波長范圍為500nm-560nm，能量密度范圍為300-400mJ/cm2。
6.根據權利要求1-5任一所述的多晶硅層的制造方法，還包括：在進行所述結晶化處理之前對所述非晶硅層進行脫氫處理。
7.根據權利要求1-5任一所述的多晶硅層的制造方法，還包括：提供襯底基板，在所述襯底基板上在形成所述非晶硅層之前形成緩沖層，之后所述非晶硅層形成于所述緩沖層上。
8.一種多晶硅層，采用如權利要求1-7任一所述的制造方法制成。
9.一種薄膜晶體管的制造方法，包括形成柵極、多晶硅有源層、柵極絕緣層、源極和漏極，
其中，所述多晶硅有源層為采用如權利要求1-7任意一項所述的制造方法形成。
10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制造方法，還包括：在形成所述柵極之后，以所述柵極為掩膜對所述多晶硅有源層進行摻雜。
11.一種陣列基板的制造方法，所述陣列基板包括陣列排布的多個薄膜晶體管，包括：
采用如權利要求 9-10任一所述的制造方法制備所述多個薄膜晶體管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
