[發明專利]實現多個腔室匹配的方法和實現多個腔室匹配的裝置有效
| 申請號: | 201810402479.X | 申請日: | 2018-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN110416111B | 公開(公告)日: | 2022-05-27 |
| 發明(設計)人: | 李娟娟 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 實現 多個腔室 匹配 方法 裝置 | ||
1.一種實現多個腔室匹配的方法,其特征在于,包括:
S110、設定各腔室的初始工藝參數,其中,各所述腔室的初始工藝參數均相同;所述初始工藝參數是符合晶片工藝制程中的一個最佳的工藝參數;
S120、獲取各所述腔室的實際硬件參數信息;
S130、根據所述實際硬件參數信息確定對應的所述腔室的工藝參數調整量;
S140、基于各所述腔室的所述工藝參數調整量和所述初始工藝參數,計算得到各所述腔室的實際工藝參數;
S150、將所述實際工藝參數下發至與其對應的各所述腔室,以使得各所述腔室的工藝輸出結果相匹配。
2.根據權利要求1所述的實現多個腔室匹配的方法,其特征在于,根據所述實際硬件參數信息確定對應的所述腔室的工藝參數調整量,具體為:
將每個所述腔室的實際硬件參數信息與預設的硬件參數信息進行比較,若二者一致,則確定所述工藝參數調整量為零;若二者不一致,則根據差異,確定所述工藝參數調整量。
3.根據權利要求1所述的實現多個腔室匹配的方法,其特征在于,根據下述公式計算所述實際工藝參數:
P2=a*P1+b;
其中,P2為實際工藝參數,P1為初始工藝參數,a為第一調整系數,b為第二調整系數。
4.根據權利要求3所述的實現多個腔室匹配的方法,其特征在于,
所述第一調整系數a滿足:
0≤a≤2;和/或,
所述第二調整系數b滿足:
-1000≤b≤1000。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的實現多個腔室匹配的方法,其特征在于,所述方法還包括:
S160、對各所述腔室的所述實際工藝參數作反向計算,得到各所述腔室的顯示工藝參數,其中,所述顯示工藝參數與所述初始工藝參數相同;
S170、顯示和/或推送所述顯示工藝參數給用戶。
6.一種實現多個腔室匹配的裝置,其特征在于,包括:
設定模塊,用于設定各腔室的初始工藝參數,其中,各所述腔室的初始工藝參數均相同;所述初始工藝參數是符合晶片工藝制程中的一個最佳的工藝參數;
獲取模塊,用于獲取各所述腔室的實際硬件參數信息;
計算模塊,用于根據所述實際硬件參數信息確定對應的所述腔室的工藝參數調整量;且基于各所述腔室的工藝參數調整量和所述初始工藝參數,計算得到各腔室的實際工藝參數;
輸出模塊,用于將所述實際工藝參數輸出至與其對應的各腔室,以使得各所述腔室的工藝輸出結果相匹配。
7.根據權利要求6所述的實現多個腔室匹配的裝置,其特征在于,還包括:
比較模塊,用于將每個所述腔室的實際硬件參數信息與預設的硬件參數信息進行比較并判斷二者是否一致。
8.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述計算模塊用于根據下述公式計算所述實際工藝參數:
P2=a*P1+b;
其中,P2為實際工藝參數,P1為初始工藝參數,a為第一調整系數,b為第二調整系數。
9.根據權利要求8所述的裝置,其特征在于,
所述第一調整系數a滿足:
0≤a≤2;和/或,
所述第二調整系數b滿足:
-1000≤b≤1000。
10.根據權利要求9所述的實現多個腔室匹配的裝置,其特征在于,
所述計算模塊,還用于對各腔室的所述實際工藝參數作反向計算,得到各所述腔室的顯示工藝參數;其中,所述顯示工藝參數與所述初始工藝參數相同;
所述實現多個腔室匹配的裝置還包括顯示模塊,用于顯示和/或推送所述顯示工藝參數給用戶。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





