[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810401642.0
• 申請(qǐng)日: 2018-04-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108847436B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘭葉;顧小云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/32;H01L33/26
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括藍(lán)寶石襯底以及依次層疊在所述藍(lán)寶石襯底上的氮化鎵緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)還包括復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述藍(lán)寶石襯底和所述氮化鎵緩沖層之間；所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包括(n+1)個(gè)第一子層和n個(gè)第二子層，n為正整數(shù)，所述(n+1)個(gè)第一子層和所述n個(gè)第二子層交替層疊設(shè)置；每個(gè)所述第一子層為氮化鋁層，每個(gè)所述第二子層為氧化鋁層；所述(n+1)個(gè)第一子層的厚度沿所述復(fù)合結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層增大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n個(gè)第二子層的厚度沿所述復(fù)合結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層減小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，各個(gè)所述第一子層的厚度為100?！?000埃，各個(gè)所述第二子層的厚度為100埃～500埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，3≤n≤7。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)還包括應(yīng)力釋放層，所述應(yīng)力釋放層設(shè)置在所述N型半導(dǎo)體層和所述有源層之間；所述應(yīng)力釋放層包括依次層疊的超晶格結(jié)構(gòu)和單層結(jié)構(gòu)；所述超晶格結(jié)構(gòu)包括(m+1)個(gè)第三子層和m個(gè)第四子層，m為正整數(shù)，所述(m+1)個(gè)第三子層和所述m個(gè)第四子層交替層疊設(shè)置；每個(gè)所述第三子層為N型摻雜的銦鎵氮層，每個(gè)所述第四子層為N型摻雜的氮化鎵層；所述單層結(jié)構(gòu)為沒(méi)有摻雜的氮化鎵層。

6.一種發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次形成復(fù)合結(jié)構(gòu)、氮化鎵緩沖層、未摻雜氮化鎵層、N型半導(dǎo)體層、有源層和P型半導(dǎo)體層；

其中，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包括(n+1)個(gè)第一子層和n個(gè)第二子層，n為正整數(shù)，所述(n+1)個(gè)第一子層和所述n個(gè)第二子層交替層疊設(shè)置；每個(gè)所述第一子層為氮化鋁層，每個(gè)所述第二子層為氧化鋁層；所述(n+1)個(gè)第一子層的厚度沿所述復(fù)合結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層增大。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述(n+1)個(gè)第一子層形成時(shí)的溫度沿所述復(fù)合結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層升高。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述n個(gè)第二子層的形成時(shí)的溫度沿所述復(fù)合結(jié)構(gòu)的層疊方向逐層降低。

9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述(n+1)個(gè)第一子層形成時(shí)的壓力相等，所述n個(gè)第二子層形成時(shí)的壓力相等。