[發(fā)明專利]一種殘膠標(biāo)準(zhǔn)片及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810400180.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110416103B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 任書銘 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團(tuán))股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 標(biāo)準(zhǔn) 及其 制備 方法 | ||
1.一種殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,包括:
基底;
設(shè)置于所述基底上的透明薄膜層;
設(shè)置于所述基底上的保護(hù)層,所述保護(hù)層包括多個(gè)曝光場(chǎng),所述曝光場(chǎng)包括呈陣列排布的多個(gè)比對(duì)單元,所述比對(duì)單元包括標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)單元和殘膠比對(duì)單元,所述標(biāo)準(zhǔn)比對(duì)單元和所述殘膠比對(duì)單元均包括至少兩個(gè)不同檢測(cè)類型的檢測(cè)區(qū)域,每個(gè)所述檢測(cè)區(qū)域內(nèi)均包括至少一個(gè)通孔;
所述透明薄膜層設(shè)置于所述殘膠比對(duì)單元的至少一個(gè)所述通孔內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述透明薄膜層的光線透過率大于或等于95%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述透明薄膜層的材料為金屬氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述透明薄膜層的材料為氧化銦錫或氧化鋅,所述保護(hù)層材料為無機(jī)物或者光敏型聚酰亞胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述透明薄膜層的厚度為50nm~300nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述檢測(cè)區(qū)域包括圓形特征比較區(qū)域、方形特征比較區(qū)域、豎條形特征比較區(qū)域和橫條形特征比較區(qū)域;
所述圓形特征比較區(qū)域包括多個(gè)圓形通孔,所述方形特征比較區(qū)域包括多個(gè)正方形通孔,所述豎條形特征比較區(qū)域包括多個(gè)沿第一方向的第一尺寸大于沿第二方向的第二尺寸的第一矩形通孔,所述橫條形特征比較區(qū)域包括多個(gè)沿第一方向的第三尺寸小于沿第二方向的第四尺寸的第二矩形通孔;其中,所述第一方向與所述第二方向垂直。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述圓形特征比較區(qū)域包括至少兩個(gè)圓形子比較區(qū)域,不同所述圓形子比較區(qū)域中的所述圓形通孔的孔徑不同,每一所述圓形子比較區(qū)域中的所述圓形通孔呈陣列排布;
所述方形特征比較區(qū)域包括至少兩個(gè)方形子比較區(qū)域,不同所述方形子比較區(qū)域中的所述正方形通孔的孔徑不同,每一所述方形子比較區(qū)域中的所述正方形通孔呈陣列排布;
所述豎條形特征比較區(qū)域中的多個(gè)所述第一矩形通孔呈陣列排布,多個(gè)所述第一矩形通孔的所述第一尺寸相等,且沿所述第二方向所述第一矩形通孔的所述第二尺寸逐漸增大;
所述橫條形特征比較區(qū)域中的多個(gè)所述第二矩形通孔呈陣列排布,多個(gè)所述第二矩形通孔的所述第四尺寸相等,且沿所述第一方向所述第二矩形通孔的所述第三尺寸逐漸減小。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,每一所述圓形子比較區(qū)域中的相鄰兩個(gè)所述圓形通孔的間距和該圓形子比較區(qū)域中的所述圓形通孔的孔徑相同;
每一所述方形子比較區(qū)域中的相鄰兩個(gè)所述正方形通孔的間距和該方形子比較區(qū)域中的所述正方形通孔的孔徑相同;
每一所述豎條形特征比較區(qū)域中,沿所述第二方向,前一個(gè)所述第一矩形通孔和后一個(gè)所述第一矩形通孔的間距與前一個(gè)所述第一矩形通孔的第二尺寸相同;
每一所述橫條形特征比較區(qū)域中,沿所述第一方向,前一個(gè)所述第二矩形通孔和后一個(gè)所述第二矩形通孔的間距和后一個(gè)所述第二矩形通孔的第三尺寸相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述透明薄膜層為中間型結(jié)構(gòu)或邊緣型結(jié)構(gòu);
所述中間型結(jié)構(gòu)的透明薄膜層在所述基底的垂直投影與所述通孔在所述基底的垂直投影不交疊;
所述邊緣型結(jié)構(gòu)的透明薄膜層與所述通孔內(nèi)壁貼合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,所述中間型結(jié)構(gòu)的透明薄膜層的形狀為圓形、正方形、矩形或多邊形;
所述邊緣型結(jié)構(gòu)的透明薄膜層的結(jié)構(gòu)為環(huán)形或線形。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殘膠標(biāo)準(zhǔn)片,其特征在于,沿同一方向,相鄰兩個(gè)所述比對(duì)單元之間的間距與相鄰兩個(gè)所述曝光場(chǎng)之間的間距相同。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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