[發明專利]發光二極管的外延片的制作方法有效
| 申請號： | 201810399548.6 | 申請日： | 2018-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN108831973B | 公開（公告）日： | 2019-10-08 |
| 發明（設計）人： | 王群;郭炳磊;魏曉駿;董彬忠;李鵬;王江波 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅襯底 納米氮化鎵 氮化鎵納米線 氮化鎵納米 外延片 發光二極管 發光層 發光效率 塊狀結構 依次設置 光電子 制作 生長 吸收 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管的外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一硅襯底；
在所述硅襯底上形成納米氮化鎵層，其中，所述納米氮化鎵層包括形成在所述硅襯底上的多根氮化鎵納米線或氮化鎵納米棒；
在形成有所述納米氮化鎵層的所述硅襯底上依次外延生長n型層、發光層和p型層，
所述在所述硅襯底上形成納米氮化鎵層，包括：
在所述硅襯底上形成NiCl2薄膜；
將形成有所述NiCl2薄膜的硅襯底置入化學反應容器中進行納米氮化鎵層的生長。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述硅襯底上形成NiCl2薄膜，包括：
將所述硅襯底浸入NiCl2酒精溶液中，并進行超聲處理；
取出所述硅襯底并進行烘干處理。
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述超聲處理的時長為20～50min。
4.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述烘干處理的溫度為50℃～150℃。
5.根據權利要求1～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述納米氮化鎵層的生長溫度為900℃～1300℃。
6.根據權利要求1～4任一項所述的制作方法，其特征在于，所述在所述硅襯底上形成納米氮化鎵層之后，所述制作方法還包括：
對形成有所述納米氮化鎵層的硅襯底進行退火處理。
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