[發(fā)明專利]一種中高壓電氣設(shè)備絕緣和滅弧介質(zhì)及其選取方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810398412.3
• 申請日: 2018-04-28
• 公開（公告）號: CN108666009A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧云坤;馬儀;王達達;趙虎;張少泉;陳曉云
• 申請（專利權(quán)）人: 云南電網(wǎng)有限責任公司電力科學研究院
• 主分類號: H01B3/56
• 分類號: H01B3/56
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 逯長明;許偉群

1.一種中高壓電氣設(shè)備絕緣和滅弧介質(zhì)的選取方法，其特征在于，所述絕緣和滅弧介質(zhì)為全氟酮混合氣體，所述選取方法包括：

獲取所述中高壓電氣設(shè)備所應(yīng)用的環(huán)境溫度和中高壓電氣設(shè)備的充氣壓力閾值；

根據(jù)所述環(huán)境溫度，得到不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的飽和蒸氣壓和臨界擊穿場強；

根據(jù)所述充氣壓力閾值選取飽和蒸氣壓滿足要求的多個不同混合比例的全氟酮混合氣體；

比較所選取的多個不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的臨界擊穿場強，將數(shù)值最大的臨界擊穿場強所對應(yīng)混合比例的全氟酮混合氣體作為所述中高壓電氣設(shè)備用絕緣介質(zhì)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述根據(jù)所述環(huán)境溫度，得到不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的飽和蒸氣壓，包括：

采用克勞修斯—克萊普朗方程或者安托因方程得到所述環(huán)境溫度下不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的飽和蒸氣壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述根據(jù)所述環(huán)境溫度，得到不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的飽和蒸氣壓，包括：

查詢飽和蒸氣壓表，得到所述環(huán)境溫度下不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的飽和蒸氣壓；

其中，所述飽和蒸氣壓表中保存了在不同環(huán)境溫度下不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的飽和蒸氣壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述根據(jù)所述環(huán)境溫度，得到不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的臨界擊穿場強，包括：

在所述環(huán)境溫度下，根據(jù)預(yù)設(shè)實驗或計算方法確定不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的臨界擊穿場強；

其中，所述預(yù)設(shè)實驗方法包括以下實驗方法中的任一種：擊穿實驗、脈沖湯遜實驗、穩(wěn)態(tài)湯遜實驗，所述計算方法包括以下方法中的任一種：玻爾茲曼解析法、蒙特卡洛模擬法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述根據(jù)所述環(huán)境溫度，得到不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的臨界擊穿場強，包括：

查詢臨界擊穿場強表，確定所述環(huán)境溫度下不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的臨界擊穿場強；

其中，所述臨界擊穿場強表中保存了在不同環(huán)境溫度下不同混合比例的全氟酮混合氣體對應(yīng)的臨界擊穿場強。

6.一種根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的方法選取的中高壓電氣設(shè)備絕緣和滅弧介質(zhì)，其特征在于：所述中高壓電氣設(shè)備絕緣和滅弧介質(zhì)為全氟酮混合氣體，所述全氟酮混合氣體包括C₅F₁₀O和緩沖氣體；其中所述C₅F₁₀O的分壓為所述中高壓電氣設(shè)備使用最低溫度下C₅F₁₀O氣體飽和蒸汽壓的80％～120％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中高壓電氣設(shè)備絕緣和滅弧介質(zhì)，其特征在于：所述全氟酮混合氣體混合氣體還包括C₆F₁₂O；其中，所述C₆F₁₂O的分壓為所述中高壓電氣設(shè)備使用最低溫度下C₆F₁₂O氣體飽和蒸汽壓的80％～120％。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中高壓電氣設(shè)備絕緣和滅弧介質(zhì)，其特征在于：所述全氟酮混合氣體混合氣體還包括C₄F₈O；其中，所述C₄F₈O的分壓為所述中高壓電氣設(shè)備使用最低溫度下C₄F₈O氣體飽和蒸汽壓的80％～120％。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的中高壓電氣設(shè)備絕緣和滅弧介質(zhì)，其特征在于：所述緩沖氣體為空氣、氮氣、二氧化碳中的一種。