[發明專利]光伏電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201810398271.5 | 申請日: | 2018-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN110429141A | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 霍艷寅;代鳳玉;王運方;曹志峰 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光伏電池 阻隔層 發電單元 窗口層 制備 電極 阻水 附著 薄膜太陽能電池 防水功能層 層狀結構 發電元件 防水功能 防水效果 使用壽命 貼合效果 直接附著 制備過程 背電極 電連接 減反層 襯底 封裝 電池 | ||
本發明是關于一種光伏電池及其制備方法,其中,光伏電池包括,襯底;背電極;發電單元;附著在所述發電單元上的阻隔層;以及,電極,所述電極與所述發電單元電連接。本發明提供的光伏電池在窗口層或減反層上附著具有阻水功能的阻隔層,阻隔層與被保護的發電元件直接接觸,提高了防水效果,且,將阻水功能的阻隔層直接附著在層狀結構的窗口層上,提高了組水層與窗口層的貼合效果,層與層之間不宜開裂,提高電池的使用壽命。本發明提供的光伏電池具備防水功能,不必進行后續的防水功能層的封裝,簡化了薄膜太陽能電池的制備過程,降低了制備成本。
技術領域
本發明屬于太陽能發電領域,特別是涉及一種光伏電池及其制備方法。
背景技術
光伏發電是利用半導體界面的光生伏特效應將光能直接轉變為電能,具有安全可靠、無噪聲、低污染、無需消耗燃料等優點,是現如今最為理想的太陽能綜合應用技術。
柔性的薄膜電池是目前發展較快的光伏電池,其中,硒化銅銦鎵薄膜太陽能電池(CIGS),光吸收能力強,發電穩定性好,轉化效率高,具有廣闊的發展前景。
由于CIGS電池的窗口層具有很強的吸水性,水汽會破壞電池的PN結結構,影響電池的性能,因此,通常情況下,在電極外粘貼一層厚度為0.3-0.5mm的阻水功能層,以防止外界水汽對電池結構和性能的影響。然而,現有的阻水功能層的價格較高,提升了薄膜太陽能電池的成本,封裝過程復雜,且,封裝膠膜一般為POE膠膜或EVA膠膜,厚度0.5mm,厚度較大,影響光的透過率。
發明內容
本發明的主要目的在于,提供一種新的光伏電池結構,在窗口層或減反射層上附著具有阻水功能的阻隔層,阻隔層與被保護的發電元件直接接觸,提高了防水效果,且,將阻水功能的阻隔層直接附著在層狀結構的窗口層或減反射層上,提高了阻水層與窗口層的貼合效果,層與層之間不易開裂,進而提高了電池的使用壽命。本發明提供的光伏電池具備防水功能,不必進行后續的防水功能層的封裝,簡化了薄膜太陽能電池的制備過程,降低了制備成本。
本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。
依據本發明提出的一種光伏電池,包括,襯底;背電極;發電單元;附著在所述發電單元上的阻隔層;以及,電極,所述電極與所述發電單元電連接。
本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的阻隔層包括一層或多層透明無機阻隔層,和/或,一層或多層透明有機無機雜化阻隔層。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的電極為圖形化電極。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的阻隔層的厚度為30-100nm。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的無機阻隔層為無機氧化物膜層;或者,所述有機無機雜化阻隔層為無機氧化物與有機化合物的雜化膜層。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的無機氧化物包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈦中的一種或兩種以上的組合;或者,所述的有機化合物包括聚甲基丙烯酸甲酯,和/或,丙烯聚合物。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的有機無機雜化阻隔層中無機氧化物與有機化合物的摩爾比為1∶3-3∶1。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的發電單元依次包括吸收層、緩沖層、窗口層,其中,所述阻隔層附著在所述窗口層上。
優選的,前述的光伏電池,其中所述的電池包括減反射層,所述減反射層位于所述窗口層與阻隔層之間。
本發明的目的及解決其技術問題還采用以下的技術方案來實現。
依據本發明提出的在發電單元或減反射層上覆蓋阻隔層,在阻隔層上制備電極,使所述電極與發電單元電連接,得到光伏電池,所述光伏電池為前述中任一項所述。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





