[發明專利]圖案形成方法和光致抗蝕劑圖案外涂層組合物

有效

• 申請號: 201810396587.0
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN108803236B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 侯希森;劉聰;I·考爾
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限責任公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/004
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陳哲鋒;胡嘉倩

1.一種圖案形成方法，包含：

(a)提供半導體襯底；

(b)在所述半導體襯底上通過正型顯影方法形成光致抗蝕劑圖案，其中所述光致抗蝕劑圖案由光致抗蝕劑組合物形成，所述光致抗蝕劑組合物包含：包含酸不穩定基團的第一聚合物；和光酸產生劑；

(c)在所述光致抗蝕劑圖案上涂布圖案外涂層組合物，其中所述圖案外涂層組合物包含第二聚合物和有機溶劑，其中所述有機溶劑包含一種或多種酯溶劑以及一種或多種單醚溶劑，其中所述酯溶劑具有式R₁-C(O)O-R₂，其中R₁是C3-C6烷基并且R₂是C5-C10烷基；

(d)烘烤經涂布的所述光致抗蝕劑圖案；和

(e)用沖洗劑沖洗所述經涂布的光致抗蝕劑圖案以去除所述第二聚合物以及光致抗蝕劑圖案的表面區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一聚合物包含下式(III)的重復單元：

其中：R₄是氫或甲基；R₅是選自羥基、C1-C8烷氧基、C5-C12芳氧基、C2-C10烷氧基羰氧基、C1-C4烷基、C5-C15芳基和C6-C20芳烷基的一個或多個基團，其中一個或多個碳氫任選地經鹵素原子取代；b是1到5的整數；其中至少一個R₅獨立地選自羥基、C1-C8烷氧基、C5-C12芳氧基和C2-C10烷氧基羰氧基。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述酯溶劑是異丁酸異戊酯。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述圖案外涂層組合物進一步包含醇溶劑。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第二聚合物包含含有-C(CF₃)₂OH基團的重復單元和/或含有酸基團的重復單元。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述圖案外涂層組合物不含非聚合酸和非聚合酸產生劑。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述沖洗劑是氫氧化四甲基銨水溶液。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中形成所述光致抗蝕劑圖案包含使由所述光致抗蝕劑組合物形成的層暴露于EUV輻射。