[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810395843.4
• 申請(qǐng)日: 2018-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN108831974B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏曉駿;郭炳磊;李鵬;胡加輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管外延片，所述發(fā)光二極管外延片包括襯底，以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、有源層、低溫P型層、電子阻擋層、高溫P型層和P型接觸層，所述低溫P型層為GaN層，其特征在于，

所述電子阻擋層為包括N個(gè)周期的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN/In_yGa_1-yN超晶格結(jié)構(gòu)，0.05<x<0.15，0.2<y<0.4，N為大于等于2的正整數(shù)，所述電子阻擋層的厚度為10～25nm；

在所述Al_xGa_1-xN/AlN/GaN/In_yGa_1-yN超晶格結(jié)構(gòu)中每個(gè)Al_xGa_1-xN子層的厚度為0.5～1.5nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，在所述Al_xGa_1-xN/AlN/GaN/In_yGa_1-yN超晶格結(jié)構(gòu)中每個(gè)AlN子層的厚度為0.5～1.5nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，在所述Al_xGa_1-xN/AlN/GaN/In_yGa_1-yN超晶格結(jié)構(gòu)中每個(gè)GaN子層的厚度為1～2nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，在所述Al_xGa_1-xN/AlN/GaN/In_yGa_1-yN超晶格結(jié)構(gòu)中每個(gè)In_yGa_1-yN子層的厚度為1～2nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，2≤N≤5。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管外延片，其特征在于，x＝0.1，y＝0.38。

7.一種發(fā)光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、未摻雜的GaN層、N型層、有源層和低溫P型層，所述低溫P型層為GaN層；

在所述低溫P型層上生長電子阻擋層，所述電子阻擋層為包括N個(gè)周期的Al_xGa_1-xN/AlN/GaN/In_yGa_1-yN超晶格結(jié)構(gòu)，0.05<x<0.15，0.2<y<0.4，N為大于等于2的正整數(shù)，所述電子阻擋層的厚度為10～25nm，在所述Al_xGa_1-xN/AlN/GaN/In_yGa_1-yN超晶格結(jié)構(gòu)中每個(gè)Al_xGa_1-xN子層的厚度為0.5～1.5nm；

在所述電子阻擋層上生長高溫P型層和P型接觸層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述電子阻擋層的生長溫度為850～1080℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的制造方法，其特征在于，所述電子阻擋層的生長壓力為200～500Torr。