[發明專利]一種薰衣草種子培植裝置及方法

在審

• 申請號: 201810395199.0
• 申請日: 2018-05-29
• 公開（公告）號: CN108575403A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 蘇東紅
• 申請（專利權）人: 和縣創智科技信息服務有限公司
• 主分類號: A01G9/02
• 分類號: A01G9/02;A01G31/02;A01G13/00
• 代理公司: 馬鞍山市金橋專利代理有限公司 34111
• 代理人: 魯延生

1.一種薰衣草種子培植裝置，其特征在于，包括培育箱(1)，所述培育箱(1)的外側設置滑槽(2)，滑槽(2)位于培育箱(1)的四側中央；所述培育箱(1)的外側設置有集水槽架(3)，集水槽架(3)活動安裝在滑槽(2)上；所述培育箱(1)的底端四側開設有排水口(4)，集水槽架(3)與排水口(4)的下端；所述培育箱(1)的內部底端設置有支撐架(5)，支撐架(5)的側端與培育箱(1)固定焊接；所述培育箱(1)內設置有培育盆(6)，培育盆(6)的接觸安裝在支撐架(5)上；所述培育盆(6)的上端兩側設置安裝有提手(7)，提手(7)采用螺釘與培育盆(5)固定連接；所述培育盆(5)的底端固定安裝有隔.網(8)，隔網(8)的上端接觸安裝有濾布(9)；所述培育盆(5)內鋪設有土壤層(10)，土壤層(10)的底端與濾布(9)上端面接觸連接，土壤層(10)的上端面鋪設有細土(11)；所述培育箱(1)的側端安裝有溫度計(12)，培育箱(1)的上端內側排布安裝有發熱電阻(13)，培育箱(1)的外側固定安裝有開關(14)和電源接口(15)，發熱電阻(13)、開關(14)和電源接口(15)依次串接。

2.如權利要求1所述的一種薰衣草種子培植裝置及方法，其特征在于：所述土壤層(9)采用1/3的珍珠石、1/3的蛭石和1/3的泥炭苔均勻混合而成，PH值為6-8。

3.一種薰衣草種子培植方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在種子萌發階段將溫度調節到15℃-20℃；

S2：在播種前，對土壤層(10)上澆水，待水透過濾布(9)和隔網(8)滲透至培育箱(1)底端，通過排水口(4)流至集水槽架(3)內；

S3：將種子均勻的播撒在水下滲后的土壤層(10)上端面，然后再蓋上一層細土，細土的厚度為種子的2-3倍，將培育箱(1)放置在無光環境中；

S4：待種子萌發后，將幼苗移至光照的環境下，將溫度調節在15-25度之間，待土壤層(10)干燥后(即土壤層(10)表面干燥，內部濕潤，葉子輕微萎焉時)，避開陽光，在早上澆透水，將幼苗移至全日照環境下進行培養，夏季陽光遮半，在幼苗期，施用花寶二號肥料，成株后，施加磷肥較高的肥料，如花寶三號，在其生長迅速的春季(3月-5月)，按月追施氮、磷、鉀復合肥，配制溶液澆灌，濃度為1％，采用多菌靈和百菌清800倍溶液灌根，每月一次；

S5：開花后，在花下第一個節處剪去，并隨便將植株修剪成半球型，平時，隨時剪去干枯的枝條，控制植株的高度，得到更好的植株，在夏末秋初，適當重剪，促發新枝，當苗子過密時可適當剪苗，待苗高出10cm左右時，可移栽，并更換培育箱(1)。