[發明專利]全封閉環氧樹脂絕緣電壓互感器有效
| 申請號: | 201810394024.8 | 申請日: | 2018-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN108597826B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 馬傳超;胡光遠;賈建華;王福軍;陸少同;惠兆鵬 | 申請(專利權)人: | 上海大一互電力電器有限公司 |
| 主分類號: | H01F38/26 | 分類號: | H01F38/26;H01F27/02;H01F27/29;H01F27/30;H01F27/32;H01F27/36 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人: | 馮子玲 |
| 地址: | 201499 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封閉 環氧樹脂 絕緣 電壓互感器 | ||
本發明涉及互感器技術領域。全封閉環氧樹脂絕緣電壓互感器,包括一電壓互感器,電壓互感器包括一次繞組、二次繞組以及鐵心,還包括一環氧樹脂制成的絕緣外殼,鐵心、一次繞組以及二次繞組均埋設在絕緣外殼內;第一繞組的兩端分別為高壓輸入端以及接地端;高壓輸入端設置在絕緣外殼的頂部;接地端與二次繞組的接線端子設置在絕緣外殼的底部的同側;鐵心外繞設有二次繞組,二次繞組外表面繞制有一電容器紙制成的絕緣層,絕緣層的外表面繞制有一次繞組,一次繞組的外表面包覆有半導體皺紋紙屏蔽層;鐵芯外表面沒有繞制二次繞組的部位包裹有半導體皺紋紙屏蔽層。將傳統半封閉的形式,改良為全封閉的形式,保證產品勵磁電流小,過電壓耐受能力強。
技術領域
本發明涉及互感器技術領域,具體涉及電壓互感器。
背景技術
相對地電壓互感器的一次繞組的一端直接接地,一次繞組接地端(N端) 設計時,靠近二次繞組,其一次繞組與二次繞組及地間的主絕緣承受的電壓比較低,一般情況下為3kV。而且,大都采用疊片式鐵芯半封閉式環氧澆注,其性能不能達到國家標準GB20840.3-2013《電磁式電壓互感器》規定的絕緣水平、局部放電水平等關鍵技術指標要求,運行可靠性低。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種全封閉環氧樹脂絕緣電壓互感器,解決以上至少一個技術問題。
本發明所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現:
全封閉環氧樹脂絕緣電壓互感器,包括一電壓互感器,所述電壓互感器包括一次繞組、二次繞組以及鐵心,其特征在于,還包括一環氧樹脂制成的絕緣外殼,所述鐵心、一次繞組以及二次繞組均埋設在絕緣外殼內;
所述第一繞組的兩端分別為高壓輸入端以及接地端;
所述高壓輸入端設置在所述絕緣外殼的頂部;
所述接地端與二次繞組的接線端子設置在所述絕緣外殼的底部的同側;
所述鐵心外繞設有所述二次繞組,所述二次繞組外表面繞制有一電容器紙制成的絕緣層,所述絕緣層的外表面繞制有一次繞組,所述一次繞組的外表面包覆有半導體皺紋紙屏蔽層;
所述鐵芯外表面沒有繞制所述二次繞組的部位包裹有半導體皺紋紙屏蔽層。
本專利的創新點在于:(1)通過將傳統半封閉的形式,改良為全封閉的形式,保護鐵心不受外界因素影響,保證產品勵磁電流小,損耗低,過電壓耐受能力強,可由GB20840.3-2013標準中的1.9倍提高到2.3或2.5倍,運行可靠性高,產品技術水平達國際同等產品先進水平。國標規定20pC,實際產品達到10pC以下,產品勵磁電流小,損耗低,過電壓耐受能力強,運行可靠性高,批量生產合格率達到98%以上。
(2)通過一次繞組的外表面包覆有半導體皺紋紙屏蔽層以及鐵心外表面沒有繞制二次繞組的部位包裹有半導體皺紋紙屏蔽層,達到改善電場分布、提高局部放電水平,便于實現了所述接地端與二次繞組的接線端子設置在所述絕緣外殼的底部的同側,仍能保證整體工作的穩定性。
(3)本專利通過將一次繞組直接繞設在二次繞組的外圍,減少器身大小,增加絕緣尺寸,提高絕緣性能。
所述一次繞組包括至少三層銅導線繞制而成的銅層,相鄰的銅層之間設有一電容器紙構成的絕緣紙層,所述絕緣紙層的寬度方向的兩側均開設有通孔。
本發明通過優化傳統的絕緣紙層的結構,在絕緣紙層的兩側開設有通孔,絕緣紙層間空隙可更好的浸入樹脂。提高一次線圈銅層間絕緣,降低了局部放電量,提高了產品質量。
至少三層銅層從內至外依次為內側銅層、中間銅層、外側銅層,所述中間銅層的匝數與所述外側銅層匝數之和等于所述內側銅層的匝數,所述中間銅層的銅導線與所述外側銅層的銅導線分別位于不同側;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海大一互電力電器有限公司,未經上海大一互電力電器有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810394024.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





