[發明專利]一種基于鈮的氧化物的選通器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201810392810.4
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN108539014B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 王浩;陳傲;馬國坤;何玉立;陳欽
• 申請（專利權）人: 湖北大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 劉奇

1.一種基于鈮的氧化物的選通器件，從下至上依次由底電極、轉換層和頂電極組成，所述底電極為TiN或導電玻璃，所述轉換層為鈮的氧化物，所述轉換層的厚度為30～100nm，所述頂電極為鉑，所述鈮的氧化物通過磁控濺射得到，所述磁控濺射所用濺射靶為五氧化二鈮靶，磁控濺射工藝中的系統壓力為3～5Torr，濺射溫度為285～315K，濺射功率為100～140W，濺射時間為600～2000s。

2.根據權利要求1所述的基于鈮的氧化物的選通器件，其特征在于，所述導電玻璃為FTO導電玻璃、ITO導電玻璃或ZTO導電玻璃。

3.根據權利要求1或2所述的基于鈮的氧化物的選通器件，其特征在于，所述底電極的厚度為50～300nm，所述底電極的面積為0.16～16μm²。

4.根據權利要求1所述的基于鈮的氧化物的選通器件，其特征在于，所述轉換層的面積為0.16～16μm²。

5.根據權利要求1所述的基于鈮的氧化物的選通器件，其特征在于，所述頂電極的厚度為50～300nm，所述頂電極的面積為0.16～16μm²。

6.一種權利要求1～5任一項所述的基于鈮的氧化物的選通器件的制備方法，包括如下步驟：

(1)以氬氣為工作氣體，以五氧化二鈮靶為濺射靶，在底電極表面進行第一濺射，得到基于鈮的氧化物的選通器件半成品；所述第一濺射的系統壓力為3～5Torr，所述第一濺射的溫度為285～315K，所述第一濺射的功率為100～140W，所述第一濺射的時間為600～2000s；

(2)以氬氣為工作氣體，以鉑靶為濺射靶，在所述基于鈮的氧化物的選通器件半成品的鈮的氧化物表面進行第二濺射，得到基于鈮的氧化物的選通器件；所述第二濺射的系統壓力為3～5Torr，所述第二濺射的溫度為285～315K，所述第二濺射的功率為80～120W，所述第二濺射的時間為200～1200s。