[發(fā)明專(zhuān)利]利用記憶合金驅(qū)動(dòng)的微泵

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810392324.2
• 申請(qǐng)日: 2018-04-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108757406A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪愛(ài)保;汪軍平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安徽銅陵科力閥門(mén)有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): F04B43/04
• 分類(lèi)號(hào): F04B43/04;F03G7/06;C23C14/02;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/35;C23C14/58
• 代理公司: 銅陵市天成專(zhuān)利事務(wù)所 34105
• 代理人: 李坤

1.利用記憶合金驅(qū)動(dòng)的微泵，其特征是：包括驅(qū)動(dòng)層（2）、收縮擴(kuò)張層（3）和基座（4），所述的驅(qū)動(dòng)層（2）包括記憶合金電阻條（1）和C形硅罩（21），泵腔截面為圓形，記憶合金電阻條（1）為圓形雙螺旋式結(jié)構(gòu)；所述的收縮擴(kuò)張層（3）包括擴(kuò)散管（6）和收縮管（5），兩管之間設(shè)有圓柱形有機(jī)玻璃腔（7），有機(jī)玻璃腔（7）與泵腔穿通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用記憶合金驅(qū)動(dòng)的微泵，其特征是：所述的雙螺旋合金電阻條（1）的寬度為250um，條間距為1OOum，電極是邊長(zhǎng)為2.5mm的正方形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用記憶合金驅(qū)動(dòng)的微泵，其特征是：所述的擴(kuò)散管（6）和收縮管（5）的總長(zhǎng)度為5mm，其中最寬長(zhǎng)度為1.25mm，出入水口（8）的邊長(zhǎng)為2.5mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用記憶合金驅(qū)動(dòng)的微泵，其特征是：所述的驅(qū)動(dòng)層（2）的制作工藝如下：

S1，選擇100晶向雙面拋光的硅片,直徑100mm，厚度為500um,然后用濃硫酸、1號(hào)液和2號(hào)液對(duì)硅片進(jìn)行清洗；其中1號(hào)液的體積比是NH₄OH: H₂O₂: H₂O=1:2:5，

2號(hào)液的體積比是HCl: H₂O₂:H₂O=1:2:8；

S2，第二步:氧化,采用干一濕一干的方法對(duì)硅片進(jìn)行氧化，干氧時(shí)間為20分鐘，濕氧時(shí)間為40分鐘，在溫度為1180℃，壓強(qiáng)為101kPa的氧化爐中進(jìn)行；

S3，甩膠，利用光刻膠將氧化后的硅片固定在卡盤(pán)上，卡盤(pán)的轉(zhuǎn)速為4000r/min，甩膠60秒，使光刻膠能夠均勻的覆蓋在氧化硅的表面；

S4，前烘，將甩膠后的片子放入溫度為80℃的烘干箱中烘干，時(shí)間為20

分鐘；

S5，曝光、光刻，在掩膜片上使用250W、波長(zhǎng)λ=436nm紫外線的光刻工藝，曝光時(shí)間是10s，掩膜片是利用Prote199se做出的膠膜；

S6，顯影、定影，利用2次丁酮和1次丙酮對(duì)硅片進(jìn)行顯影和定影，顯影和定影的時(shí)間均為55s；

S7，堅(jiān)膜,將定影后的硅片放入200℃的烘干箱中堅(jiān)膜40分鐘；

S8，利用腐刻液刻蝕SiO₂，露出腐蝕窗口；

S9，去膠；

S10，利用EPW腐蝕液對(duì)硅片進(jìn)行腐蝕，腐蝕出c形硅杯；

S11，利用腐刻液刻蝕SiO₂；

S12，磁控濺射形狀記憶合金；

S13, 晶化處理；

S14, 光刻；

S15，腐蝕出雙螺旋式合金電阻條，腐蝕液為:HF: HNO₃: H₂O₂: H₂0=15%:15% : 2% :68%，室溫條件下腐蝕1分鐘；

S16，去膠。