[發明專利]電容器及其制造方法

在審

• 申請號: 201810388645.5
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN108806979A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 理查德威爾
• 申請（專利權）人: 埃斯托股份有限公司
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/33
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王海寧

1.一種電容器，包括：

第一電極；

電介質層，該電介質層包含：

聚合物基質，該聚合物基質包括環氧樹脂；和

陶瓷顆粒，該陶瓷顆粒分散在所述聚合物基質內并且包含組成改進的鈦酸鋇，以及

第二電極，其中所述電介質層被設置在所述第一電極和所述第二電極之間。

2.根據權利要求1所述的電容器，其中所述組成改進的鈦酸鋇包含(Ba_1-α-μ-νA_μD_νCa_α)[Ti_{1-x-δ-μ’-ν’}Mn_δA’_μ’D’_ν’Zr_x]_zO₃，其中A＝Ag或La，A’＝Dy、Er、Ho、Y、Yb或Ga；D＝Nd、Pr、Sm或Gd；D’＝Nb或Mo；0.10≤x≤0.25；0≤μ≤0.01，0≤μ’≤0.01，0≤ν≤0.01，0≤ν’≤0.01，0≤δ≤0.01，0.995≤z≤1，和0≤α≤0.05。

3.根據權利要求1所述的電容器，其中所述陶瓷顆粒涂覆有兩親性試劑。

4.根據權利要求1所述的電容器，其中所述電介質層具有在0.1微米至100微米范圍內的厚度。

5.根據權利要求1所述的電容器，其中所述電介質層具有至少30的相對介電常數。

6.一種電容器，包含：

電介質層，該電介質層包含聚合物基質和分散在聚合物基質內的陶瓷顆粒，其中所述聚合物基質包含環氧樹脂，

其中所述電介質層具有至少30的相對介電常數。

7.根據權利要求6所述的電容器，其中所述電介質層具有在0.1微米至100微米范圍內的厚度。

8.根據權利要求6所述的電容器，其中所述電介質層具有在3微米至30微米范圍內的厚度。

9.根據權利要求6所述的電容器，其中所述陶瓷顆粒占所述聚合物基質和所述陶瓷顆粒的總體積的至少20體積％、至少30體積％、至少40體積％或至少50體積％。

10.根據權利要求6所述的電容器，其中所述陶瓷顆粒占所述陶瓷顆粒和所述聚合物基質的總體積的不大于95體積％、不大于90體積％或不大于85體積％。

11.根據權利要求6所述的電容器，其中所述陶瓷顆粒占所述陶瓷顆粒和所述聚合物基質的總體積的20體積％至95體積％、30體積％至90體積％、或40體積％至85體積％。

12.根據權利要求6所述的電容器，其中所述相對介電常數為至少50。

13.一種在基底上形成電容器的方法，包括：

混合聚合物前體溶液和陶瓷顆粒以形成混合物，

其中所述陶瓷顆粒相對于混合物總體積的體積百分比是至少20％；和

將所述混合物旋涂在基底上以便在基底上形成電介質層。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述聚合物前體溶液包含環氧樹脂。

15.根據權利要求13所述的方法，還包括使所述混合物固化。

16.根據權利要求15所述的方法，其中在70℃至140℃范圍內的溫度下固化所述混合物。

17.根據權利要求13所述的方法，其中旋涂包括在基底以0轉/分鐘(rpm)至500rpm范圍內的速度旋轉時將所述混合物分配在基底上。