[發明專利]基于二維壓電材料薄膜的聲表面波器件

在審

• 申請號: 201810388048.2
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN110149102A
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: 陳立博;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 北京納米能源與系統研究所
• 主分類號: H03H3/10
• 分類號: H03H3/10;H03H9/25;H03H9/02;H01L41/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種基于二維壓電材料薄膜的聲表面波器件，包括：

基底；

二維壓電薄膜，位于基底之上；以及

電極層，位于二維壓電薄膜之上，包括：叉指換能器及其匹配電路；

其中，二維壓電薄膜的材料為具有壓電性的二維材料，該二維壓電薄膜的壓電極化方向平行于該二維壓電薄膜所在平面的方向。

2.根據權利要求1所述的聲表面波器件，其中：

所述二維壓電薄膜的層數為單層或者多層，厚度介于0.1nm～1μm之間；和/或

所述二維壓電薄膜的材料包括如下材料中的一種：二硫化鉬、二硒化鎢、二碲化鉬。

3.根據權利要求1或2所述的聲表面波器件，其中，所述基底的材料為如下材料中的一種：

高聲速基底材料，包括：藍寶石、金剛石、類金剛石、碳化硅；

常用基底材料，包括：硅片、氧化硅片；

透明基底材料；

柔性基底材料；以及

柔性透明的基底材料。

4.根據權利要求1至3任一項所述的聲表面波器件，其中：

所述叉指換能器及其匹配電路的結構為如下電極結構中的一種：延遲線結構、交錯對插換能器結構、縱向耦合雙模諧振濾波器結構、以及梯形結構；和/或

所述電極層的材料為導電材料，包括如下材料中的一種：金屬、合金、金屬氧化物、氧化銦錫、摻鋁氧化鋅、石墨烯、以及碳納米管。

5.根據權利要求1至4任一項所述的聲表面波器件，其中，所述聲表面波器件為聲表面波濾波器、聲表面波諧振器、聲表面波延遲線、聲表面波卷積器或聲表面波傳感器。

6.一種基于二維壓電材料薄膜的聲表面波器件，包括：

基底；

電極層，位于基底之上，包括：叉指換能器及其匹配電路；以及

二維壓電薄膜，位于電極層之上；

其中，二維壓電薄膜的材料為具有壓電性的二維材料，該二維壓電薄膜的壓電極化方向平行于二維壓電薄膜所在平面的方向。

7.根據權利要求6所述的聲表面波器件，其中：

所述二維壓電薄膜的層數為單層或者多層，厚度介于0.1nm～1μm之間；和/或

所述二維壓電薄膜的材料包括如下材料中的一種：二硫化鉬、二硒化鎢、二碲化鉬。

8.根據權利要求6或7所述的聲表面波器件，其中，所述基底的材料為如下材料中的一種：

高聲速基底材料，包括：藍寶石、金剛石、類金剛石、碳化硅；

常用基底材料，包括：硅片、氧化硅片；

透明基底材料；

柔性基底材料；以及

柔性透明的基底材料。

9.根據權利要求6至8任一項所述的聲表面波器件，其中：

所述叉指換能器及其匹配電路的結構為如下電極結構中的一種：延遲線結構、交錯對插換能器結構、縱向耦合雙模諧振濾波器結構、以及梯形結構；和/或

所述電極層的材料為導電材料，包括如下材料中的一種：金屬、合金、金屬氧化物、氧化銦錫、摻鋁氧化鋅、石墨烯、以及碳納米管。

10.根據權利要求6至9任一項所述的聲表面波器件，其中，所述聲表面波器件為聲表面波濾波器、聲表面波諧振器、聲表面波延遲線、聲表面波卷積器或聲表面波傳感器。