[發明專利]帶隔離欄的焦平面陣列及其制備方法在審
| 申請號: | 201810387492.2 | 申請日: | 2018-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN108807428A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 劉斌;金迎春;周文洪;黃立 | 申請(專利權)人: | 武漢高芯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;H01L21/762 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司 11228 | 代理人: | 程殿軍 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 凸點 隔離欄 焦平面陣列 倒裝焊 光敏材料 像元 絕緣 制備 隔離 有效導通率 陣列狀分布 短路 受壓 | ||
本發明提供了一種帶隔離欄的焦平面陣列及其制備方法,該焦平面陣列包括光敏材料,所述光敏材料上呈陣列狀分布有多個像元,每一所述像元上連接一凸點,相鄰的兩個凸點之間被絕緣的隔離欄隔離。本發明通過在相鄰的兩個凸點之間增加絕緣的隔離欄,讓每個凸點與其他的凸點隔離開來,這樣在倒裝焊時,凸點受壓向四周擴張時,由于受到隔離欄的隔絕,相鄰的凸點不會連到一起造成短路,從而不會形成盲元,且隔離欄可以限制凸點在倒裝焊時下壓的程度,從而可以提高凸點倒裝焊的有效導通率和可靠性。
技術領域
本發明涉及焦平面器件技術,尤其涉及一種帶隔離欄的焦平面陣列及其制備方法。
背景技術
焦平面紅外探測器因其獨特的探測性能而廣泛地應用在各個領域。隨著應用端的發展,焦平面紅外探測器的制造技術也在飛速地進步,其像素由萬級逐步發展為十萬、百萬級別,甚至千萬級像素探測器也在開發中。像素密度的增加對探測器最關鍵的部分,即焦平面陣列的制備增加了更高的難度和技術要求。這是因為,焦平面陣列像素密度越來越高時,連接敏感材料與讀出電路的凸點也越來越小,密度越來越高,同時相鄰像元的凸點之間間距也越來近。這種情況下,敏感材料與讀出電路倒裝焊互聯工藝成為了一個重大的技術瓶頸,具體地,體現在凸點制作工藝、倒裝焊工藝、材料表面平整度等各個方面。如果任一環節出了問題,敏感材料與讀出電路互聯時可能會在局部區域產生過壓,使凸點變形過度、橫向擴張太多,甚至超出了像元區域,導致相鄰像元的凸點連接到一起,造成像元間短路,這種短路的像元最終都會形成盲元(或者壞點)。
發明內容
本發明的目的在于提供一種帶隔離欄的焦平面陣列及其制備方法,旨在用于解決現有的焦平面陣列相鄰凸點很容易壓連短路的問題。
本發明是這樣實現的:
一方面,本發明提供一種帶隔離欄的焦平面陣列,包括光敏材料,所述光敏材料上呈陣列狀分布有多個像元,每一所述像元上連接一凸點,相鄰的兩個凸點之間被絕緣的隔離欄隔離。
進一步地,所述隔離欄的材質為硫化鋅、二氧化硅、氮化硅中的至少一種。
進一步地,所述隔離欄與所述凸點之間具有間隙。
進一步地,所述隔離欄的線條寬度大小為相鄰像元中心距離的1/20-1/5。
進一步地,所述隔離欄的高度為所述凸點未壓焊時高度的40%-70%。
進一步地,各所述凸點四周的隔離欄圍成與相應凸點同心的方形或圓形。
進一步地,各所述隔離欄相互連接成網狀。
另一方面,本發明還提供一種制備上述帶隔離欄的焦平面陣列的方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)在具有凸點的光敏材料表面生長一層絕緣材料;
(2)通過光刻,制備出具有隔離欄圖形的光刻膠掩膜,光刻膠掩膜的中空部分露出凸點區域;
(3)通過刻蝕,去掉光刻膠掩膜露出部分的絕緣材料,直至露出凸點;
(4)用去膠液去除光刻膠,留下的絕緣材料構成隔離欄。
進一步地,所述步驟(1)中采用低溫PECVD或者電子束蒸發的方式生長絕緣材料。
進一步地,所述步驟(3)中采用BOE腐蝕液或者ICP干法刻蝕的方法的去掉露出的絕緣材料。
與現有技術相比,本發明具有以下有益效果:
本發明提供的這種帶隔離欄的焦平面陣列及其制備方法,通過在相鄰的兩個凸點之間增加絕緣的隔離欄,讓每個凸點與其他的凸點隔離開來,這樣在倒裝焊時,凸點受壓向四周擴張時,由于受到隔離欄的隔絕,相鄰的凸點不會連到一起造成短路,從而不會形成盲元,且隔離欄可以限制凸點在倒裝焊時下壓的程度,從而可以提高凸點倒裝焊的有效導通率和可靠性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





